可控硅參數(shù)符號說明
可控硅參數(shù)符號說明
?
參數(shù)符號說明:
IT(AV)--通態(tài)平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓
IDRM--斷態(tài)重復峰值電流
ITSM--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態(tài)峰值電壓
IGT--門極觸發(fā)電流
VGT--門極觸發(fā)電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率
di/dt--通態(tài)電流臨界上升率
Rthjc--結(jié)殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結(jié)溫
VDRM--通態(tài)重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
?
it(av)--通態(tài)平均電流
vrrm--反向重復峰值電壓
idrm--斷態(tài)重復峰值電流
itsm--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流
vtm--通態(tài)峰值電壓igt--門極觸發(fā)電流
vgt--門極觸發(fā)電壓ih--維持電流
dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率
di/dt--通態(tài)電流臨界上升率
rthjc--結(jié)殼熱阻
viso--模塊絕緣電壓
tjm--額定結(jié)溫
vdrm--通態(tài)重復峰值電壓
irrm--反向重復峰值電流
if(av)--正向平均電流
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
場效應管,晶閘關(guān),可控硅,參數(shù)符號意義
cds---漏-源電容
cdu---漏-襯底電容
cgd---柵-源電容
cgs---漏-源電容
ciss---柵短路共源輸入電容
coss---柵短路共源輸出電容
crss---柵短路共源反向傳輸電容
d---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù))
di/dt---電流上升率(外電路參數(shù))
dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù))
id---漏極電流(直流)
idm---漏極脈沖電流
id(on)---通態(tài)漏極電流
idq---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)
ids---漏源電流
idsm---最大漏源電流
idss---柵-源短路時,漏極電流
ids(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
ig---柵極電流(直流)
igf---正向柵電流
igr---反向柵電流
igdo---源極開路時,截止柵電流
igso---漏極開路時,截止柵電流
igm---柵極脈沖電流
igp---柵極峰值電流
if---二極管正向電流
igss---漏極短路時截止柵電流
idss1---對管第一管漏源飽和電流
idss2---對管第二管漏源飽和電流
iu---襯底電流
ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù))
gfs---正向跨導
gp---功率增益
gps---共源極中和高頻功率增益
gpg---共柵極中和高頻功率增益
gpd---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導
gds---漏源電導
k---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
ku---傳輸系數(shù)
l---負載電感(外電路參數(shù))
ld---漏極電感
ls---源極電感
rds---漏源電阻
rds(on)---漏源通態(tài)電阻
rds(of)---漏源斷態(tài)電阻
rgd---柵漏電阻
rgs---柵源電阻
rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù))
rl---負載電阻(外電路參數(shù))
r(th)jc---結(jié)殼熱阻
r(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
pd---漏極耗散功率
pdm---漏極最大允許耗散功率
pin--輸入功率
pout---輸出功率
ppk---脈沖功率峰值(外電路參數(shù))
to(on)---開通延遲時間
td(off)---關(guān)斷延遲時間
ti---上升時間
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tf---下降時間
trr---反向恢復時間
tj---結(jié)溫
tjm---最大允許結(jié)溫
ta---環(huán)境溫度
tc---管殼溫度
tstg---貯成溫度
vds---漏源電壓(直流)
vgs---柵源電壓(直流)
vgsf--正向柵源電壓(直流)
vgsr---反向柵源電壓(直流)
vdd---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
vgg---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
vgs(th)---開啟電壓或閥電壓
v(br)dss---漏源擊穿電壓
v(br)gss---漏源短路時柵源擊穿電壓
vds(on)---漏源通態(tài)電壓
vds(sat)---漏源飽和電壓
vgd---柵漏電壓(直流)
vsu---源襯底電壓(直流)
vdu---漏襯底電壓(直流)
vgu---柵襯底電壓(直流)
zo---驅(qū)動源內(nèi)阻
η---漏極效率(射頻功率管)
vn---噪聲電壓
aid---漏極電流溫度系數(shù)
非常好我支持^.^
(0) 0%
不好我反對
(0) 0%
相關(guān)閱讀:
- [模擬技術(shù)] IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動電路設計 2023-10-18
- [LED驅(qū)動] 采用LT3799設計的三端雙向可控硅調(diào)光LED驅(qū)動器電子電路 2023-10-15
- [模擬技術(shù)] 兩顆電容解決可控硅產(chǎn)生的二次放電問題 2023-10-09
- [電子說] 五大電子技術(shù)知識詳解(邏輯門電路 可控硅 二三極管) 2023-09-22
- [電子說] 可控硅對觸發(fā)電路的要求 2023-09-20
- [電子說] 在RL78/G13芯片上通過可控硅實現(xiàn)風機調(diào)速的一種方法 2023-09-28
- [電子說] 晶閘管的特性及工作原理 2023-09-15
- [電子說] 可控硅的用途及結(jié)構(gòu) 2023-09-14
( 發(fā)表人:admin )