什么是本體偏壓/次臨界漏電 (ISUBTH)/High-k
2010年03月05日 15:29 www.brongaenegriffin.com 作者：佚名 用戶評論（0）
什么是本體偏壓/次臨界漏電 (ISUBTH)/High-k 電介質/High-k 電介質/GIDL
本體偏壓
通過改變電路上的電壓來減少電流泄漏的技術。將電路主體連接至偏壓電壓來控制晶體管閾值?？赏ㄟ^應用一個反向偏壓來減少待機電流泄漏。
次臨界漏電 (ISUBTH)
當晶體管處于關閉狀態(tài)時，電源和晶體管漏極之間的電流。
High-k 電介質
高介電常數(shù)（k，一個衡量材料可具有多少電荷的參數(shù)）的材料，與半導體絕緣層中使用的二氧化硅材料相比。因為high-k 柵極絕緣層比二氧化硅具有更高的透電率，因此它們也被叫做高透電層。當其厚度可與二氧化硅薄膜相比時，高介電常數(shù) High-k 材料可被用作物理厚度的絕緣層來減少漏電電流。日電電子使用具有高可靠性的 HfSiOx High-k 絕緣材料。
GIDL（柵極引發(fā)漏極漏電）
從晶體管漏極到基區(qū)的漏電電流。晶體管處于關閉狀態(tài)時，在柵極/漏極重疊區(qū)域下高電場中產生的 GIDL 電流。
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