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光耦合器,光耦合器工作原理是什么?

2010年03月20日 17:37 www.brongaenegriffin.com 作者:本站 用戶(hù)評(píng)論(0
關(guān)鍵字:光耦合器(35685)

光耦合器,光耦合器工作原理是什么?

光耦合器(optical coupler,英文縮寫(xiě)為OC)亦稱(chēng)光電隔離器,簡(jiǎn)稱(chēng)光耦。光耦合器以光為媒介傳輸電信號(hào)。它對(duì)輸入、輸出電信號(hào)有良好的隔離作用,所以,它在各種電路中得到廣泛的應(yīng)用。目前它已成為種類(lèi)最多、用途最廣的光電器件之一。光耦合器一般由三部分組成:光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管LED),使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光,被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流,再經(jīng)過(guò)進(jìn)一步放大后輸出。這就完成了電—光—電的轉(zhuǎn)換,從而起到輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離,電信號(hào)傳輸具有單向性等特點(diǎn),因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。又由于光耦合器的輸入端屬于電流型工作的低阻元件,因而具有很強(qiáng)的共模抑制能力。所以,它在長(zhǎng)線(xiàn)傳輸信息中作為終端隔離元件可以大大提高信噪比。在計(jì)算機(jī)數(shù)字通信及實(shí)時(shí)控制中作為信號(hào)隔離的接口器件,可以大大增加計(jì)算機(jī)工作的可靠性。

光耦合器的性能

光耦合器傳輸?shù)男盘?hào)可以為數(shù)字信號(hào),也可以為模擬信號(hào),只是對(duì)器件要求不同,故選擇時(shí)應(yīng)針對(duì)輸入信號(hào)選擇相應(yīng)的光電耦合器。模擬信號(hào)所用光耦常稱(chēng)為線(xiàn)性光耦,光電耦合器在傳輸信號(hào)的原理上與隔離變壓器相同,但它體積小,傳輸信號(hào)的頻率高,使用方便,光電耦合器一般采用DIP封裝。

用于傳遞模擬信號(hào)的光耦合器的發(fā)光器件為二極管、光接收器為光敏三極管。當(dāng)有電流通過(guò)發(fā)光二極管時(shí),便形成一個(gè)光源,該光源照射到光敏三極管表面上,使光敏三極管產(chǎn)生集電極電流,該電流的大小與光照的強(qiáng)弱,亦即流過(guò)二極管的正向電流的大小成正比。由于光耦合器的輸入端和輸出端之間通過(guò)光信號(hào)來(lái)傳輸,因而兩部分之間在電氣上完全隔離,沒(méi)有電信號(hào)的反饋和干擾,故性能穩(wěn)定,抗干擾能力強(qiáng)。發(fā)光管和光敏管之間的耦合電容?。?pf左右)、耐壓高(2.5KV左右),故共模抑制比很高。輸入和輸出間的電隔離度取決于兩部分供電電源間的絕緣電阻。此外,因其輸入電阻小(約10Ω),對(duì)高內(nèi)阻源的噪聲相當(dāng)于被短接。因此,由光耦合器構(gòu)成的模擬信號(hào)隔離電路具有優(yōu)良的電氣性能。

事實(shí)上,光耦合器是一種由光電流控制的電流轉(zhuǎn)移器件,其輸出特性與普通雙極型晶體管的輸出特性相似,因而可以將其作為普通放大器直接構(gòu)成模擬放大電路,并且輸入與輸出間可實(shí)現(xiàn)電隔離。然而,這類(lèi)放大電路的工作穩(wěn)定性較差,無(wú)實(shí)用價(jià)值。究其原因主要有兩點(diǎn):一是光耦合器的線(xiàn)性工作范圍較窄,且隨溫度變化而變化;二是光耦合器共發(fā)射極電流傳輸系數(shù)β和集電極反向飽和電流ICBO(即暗電流)受溫度變化的影響明顯。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,除應(yīng)選用線(xiàn)性范圍寬、線(xiàn)性度高的光耦合器來(lái)實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)隔離外,還必須在電路上采取有效措施,盡量消除溫度變化對(duì)放大電路工作狀態(tài)的影響。

從光耦合器的轉(zhuǎn)移特性與溫度的關(guān)系可以看出,若使光耦合器構(gòu)成的模擬隔離電路穩(wěn)定實(shí)用,則應(yīng)盡量消除暗電流(ICBO)的影響,以提高線(xiàn)性度,做到靜態(tài)工作點(diǎn)IFQ隨溫度的變化而自動(dòng)調(diào)整,以使輸出信號(hào)保持對(duì)稱(chēng)性,使輸入信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍隨溫度變化而自動(dòng)變化,以抵消β值隨溫度變化的影響,保證電路工作狀態(tài)的穩(wěn)定性。

光耦合器的類(lèi)型

光耦合器有管式、雙列直插式和光導(dǎo)纖維式等封培育形式,其種類(lèi)達(dá)數(shù)十種。光耦合器的種類(lèi)達(dá)數(shù)十種,主要有通用型(又分無(wú)基極引線(xiàn)和基極引線(xiàn)兩種)、達(dá)林頓型、施密特型、高速型、光集成電路、光纖維、光敏晶閘管型(又分單向晶閘管、雙向晶閘管)、光敏場(chǎng)效應(yīng)管型。此外還有雙通道式(內(nèi)部有兩套對(duì)管)、高增益型、交-直流輸入型等等。國(guó)外生產(chǎn)廠家有英國(guó)ISOCOM公司等,國(guó)內(nèi)廠家的蘇州半導(dǎo)體總廠等。

光耦合器的主要優(yōu)點(diǎn)

信號(hào)單向傳輸,輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離隔離,輸出信號(hào)對(duì)輸入端無(wú)影響,抗干擾能力強(qiáng),工作穩(wěn)定,無(wú)觸點(diǎn),使用壽命長(zhǎng),傳輸效率高。光耦合器是70年代發(fā)展起來(lái)產(chǎn)新型器件,現(xiàn)已廣泛用于電氣絕緣、電平轉(zhuǎn)換、級(jí)間耦合、驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)電路、斬波器、多諧振蕩器、信號(hào)隔離、級(jí)間隔離 、脈沖放大電路、數(shù)字儀表、遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸、脈沖放大、固態(tài)繼電器(SSR)、儀器儀表通信設(shè)備及微機(jī)接口中。在單片開(kāi)關(guān)電源中,利用線(xiàn)性光耦合器可構(gòu)成光耦反饋電路,通過(guò)調(diào)節(jié)控制端電流來(lái)改變占空比,達(dá)到精密穩(wěn)壓目的。

光耦合器的BGA封裝

光耦合器的一項(xiàng)普遍應(yīng)用是專(zhuān)用調(diào)制解調(diào)器,允許電腦與電話(huà)線(xiàn)連接,且消除電氣瞬變引起的風(fēng)險(xiǎn)或損害。光耦合器除提供高度電氣絕緣外,還可提高差模信號(hào)與共模信號(hào)的比率。

DIP廣泛用于集成電路的封裝,也用于常規(guī)的光耦合器(如圖1所示)。廠家通常制造具有4、6、8或16接腳的各種型式DIP封裝光耦合器。

圖1 常規(guī)DIP光耦合器封裝

不過(guò),P-DIP光耦合器的封裝可以進(jìn)一步改進(jìn),例如,光耦合器封裝需要昂貴和費(fèi)時(shí)的過(guò)成型(overmolding)處理。在這個(gè)處理過(guò)程中,成型化合物灌封光耦合器封裝的其它部分。除過(guò)成型工藝本身外,還需要采取成型材料清除工藝(例如除廢物和除閃爍工藝)除掉多余的成型化合物,這就增加了光耦合器封裝的時(shí)間和費(fèi)用。

此外,廠家還需要投入較多的資金,用于成型不同"外形尺寸"封裝(如4、6或8接腳封裝)的工具,因此,如果能夠省去過(guò)成型工藝,就可減少制造光耦合器封裝的相關(guān)時(shí)間和成本。此外,DIP光耦合器封裝并不能很好地以表面附著方式安裝到PCB板上-必須重整引腳以便進(jìn)行表面安裝回流焊,這常常存在引起微小裂縫的危險(xiǎn),影響組件的可靠性。更進(jìn)一步地,對(duì)于其它組件使用薄型表面安裝的封裝形式,如TSSOP或TQFT器件的用戶(hù)來(lái)說(shuō),這樣重整后的DIP封裝的高度仍存在問(wèn)題。

光耦合器BGA2的設(shè)計(jì)特性可解決這些問(wèn)題,它是高度不超過(guò)1.20mm,占位面積小于現(xiàn)有的PDIP外形尺寸的低側(cè)高小型表面安裝組件。光耦合器BGA封裝(如圖2所示)不需要灌封材料(成型化合物),而且它的制造工具與封裝的外形尺寸無(wú)關(guān)。其設(shè)計(jì)也可改善封裝在熱循環(huán)等加速測(cè)試中的可靠性能。采用無(wú)鉛焊球可構(gòu)建完全無(wú)鉛的封裝。


圖3 光耦合器BGA封裝的截面視圖

光耦合器BGA封裝包括氧化鋁基底,其上形成圖案蹤跡和區(qū)域,用于砷化鎵發(fā)光二極管(LED)和光電探測(cè)器硅組件的晶片附著,LED的焊接方法使其可以被施加外接偏壓,光電探測(cè)器連接至輸出。采用光涂層結(jié)合LED和光電探測(cè)器,以進(jìn)行介質(zhì)之間的大量傳輸。而且,采用反射涂層覆蓋光涂層,使傳送到感光性晶片的輻射達(dá)到最大。焊球形成二層互連(封裝至PCB板),圖3所示為光耦合器BGA封裝的截面。

采用業(yè)界傳統(tǒng)的基底厚度和工藝,便可以構(gòu)造側(cè)高很低的可表面安裝式光耦合器封裝,而且,利用封裝設(shè)計(jì)的獨(dú)特性能,便可以省去一組投資極高的工藝步驟:成型、除閃爍、修整和重整。采用鉆石輪劃片的晶片鋸切方式可完成光耦合器BGA的單一化。

光耦合器的技術(shù)參數(shù)

光耦合器的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級(jí)與輸出級(jí)之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat)。

此外,在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間等參數(shù)

最重要的參數(shù)是電流放大系數(shù)傳輸比CTR(Curremt-Trrasfer Ratio)。通常用直流電流傳輸比來(lái)表示。當(dāng)輸出電壓保持恒定時(shí),它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。當(dāng)接收管的電流放大系數(shù)hFE為常數(shù)時(shí),它等于輸出電流IC之比,通常用百分?jǐn)?shù)來(lái)表示。有公式:

CTR=IC/IF×100%

采用一只光敏三極管的光耦合器,CTR的范圍大多為20%~30%(如4N35),而PC817則為80%~160%,達(dá)林頓型光耦合器(如4N30)可達(dá)100%~500%。這表明欲獲得同樣的輸出電流,后者只需較小的輸入電流。因此,CTR參數(shù)與晶體管的hFE有某種相似之處。普通光耦合器的CTR-IF特性曲線(xiàn)呈非線(xiàn)性,在IF較小時(shí)的非線(xiàn)性失真尤為嚴(yán)重,因此它不適合傳輸模擬信號(hào)。線(xiàn)性光耦合器的CTR-IF特性曲線(xiàn)具有良好的線(xiàn)性度,特別是在傳輸小信號(hào)時(shí),其交流電流傳輸比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流電流傳輸比CTR值。因此,它適合傳輸模擬電壓或電流信號(hào),能使輸出與輸入之間呈線(xiàn)性關(guān)系。這是其重要特性。在設(shè)計(jì)光耦反饋式開(kāi)關(guān)電源時(shí)必須正確選擇線(xiàn)性光耦合器的型號(hào)及參數(shù),選取原則如下:

(1)光耦合器的電流傳輸比(CTR)的允許范圍是50%~200%。這是因?yàn)楫?dāng)CTR<50%時(shí),光耦中的LED就需要較大的工作電流(IF>5.0mA),才能正??刂茊纹_(kāi)關(guān)電源IC的占空比,這會(huì)增大光耦的功耗。若CTR>200%,在啟動(dòng)電路或者當(dāng)負(fù)載發(fā)生突變時(shí),有可能將單片開(kāi)關(guān)電源誤觸發(fā),影響正常輸出。

(2)推薦采用線(xiàn)性光耦合器,其特點(diǎn)是CTR值能夠在一定范圍內(nèi)做線(xiàn)性調(diào)整。

(3)由英國(guó)埃索柯姆(Isocom)公司、美國(guó)摩托羅拉公司生產(chǎn)的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,目前在國(guó)內(nèi)應(yīng)用地十分普遍。鑒于此類(lèi)光耦合器呈現(xiàn)開(kāi)關(guān)特性,其線(xiàn)性度差,適宜傳輸數(shù)字信號(hào)(高、低電平),因此不推薦用在開(kāi)關(guān)電源中。

通用型與達(dá)林頓型光耦合器區(qū)分:

方法一:

在通用型光耦合器中,接收器是一只硅光電半導(dǎo)體管,因此在B-E之間只有一個(gè)硅PN結(jié)。達(dá)林頓型不然,它由復(fù)合管構(gòu)成,兩個(gè)硅PN結(jié)串聯(lián)成復(fù)合管的發(fā)射結(jié)。根據(jù)上述差別,很容易將通用型與達(dá)林頓型光耦合器區(qū)分開(kāi)來(lái)。具體方法是,將萬(wàn)用表撥至R×100檔,黑表筆接B極,紅表筆接E極,采用讀取電壓法求出發(fā)射結(jié)正向電壓VBE。若VBE=0.55~0.7V,就是達(dá)林頓型光耦合器。

方法二:

通用型與達(dá)林頓型光電耦合的主要區(qū)別是接收管的電流放大系數(shù)不同。前者的hFE為幾十倍至幾百倍,后者可達(dá)數(shù)千倍,二者相差1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。因此,只要準(zhǔn)確測(cè)量出hFE值,即可加以區(qū)分。

在測(cè)量時(shí)應(yīng)注意事項(xiàng):

(1)因?yàn)檫_(dá)林頓型光耦合器的hFE值很高,所以表針兩次偏轉(zhuǎn)格數(shù)非常接近。準(zhǔn)確讀出n1、 n2的格數(shù)是本方法關(guān)鍵所在,否則將引起較大的誤差。此外,歐姆零點(diǎn)亦應(yīng)事先調(diào)準(zhǔn)。

(2)若4N30中的發(fā)射管損壞,但接收管未發(fā)現(xiàn)故障,則可代替超β管使用。同理,倘若4N35中的接收管完好無(wú)損,也可作普通硅NPN晶體管使用,實(shí)現(xiàn)廢物利用。

(3)對(duì)于無(wú)基極引線(xiàn)的通用型及達(dá)林頓型光耦合器,本方法不再適用。建議采用測(cè)電流傳輸比CTR的方法加以區(qū)分。

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