導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?

傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VIN值所對(duì)應(yīng)的P溝道MOSFET與N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻并聯(lián)，可得到如圖2所示并聯(lián)結(jié)構(gòu)下的導(dǎo)通電阻（RON）隨輸入電壓（VIN）的變化關(guān)系，如果不考慮溫度、電源電壓的影響，RON隨VIN呈線(xiàn)性關(guān)系將導(dǎo)致插入損耗的變化，這將使模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)生總諧波失真（THD），這是設(shè)計(jì)人員所不希望的，如何將RON隨VIN的變化量降至最小也是設(shè)計(jì)新一代模擬開(kāi)關(guān)所面臨的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。

另外，導(dǎo)通電阻還與開(kāi)關(guān)的供電電壓有關(guān)，由圖3可以看出：RON隨著電源電壓的減小而增大，當(dāng)MAX4601的電源電壓為5V時(shí)，最大RON為8Ω；當(dāng)電源電壓為12V時(shí)，最大RON為3Ω；電源電壓為24V時(shí)，最大RON僅為2Ω。RON的存在會(huì)使信號(hào)電壓產(chǎn)生跌落，跌落量與流過(guò)開(kāi)關(guān)的電流成正比，對(duì)于適當(dāng)?shù)碾娏?，這一跌落量處在系統(tǒng)容許的誤差范圍之內(nèi)，而要降低RON所耗費(fèi)的成本卻很高，因此，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需要加以權(quán)衡。RON確定后，還需考慮通道間的失配度與RON的平坦度。通道失配度用來(lái)描述同一芯片的不同通道間RON的差別；RON的平坦度用于描述每一通道的RON在所規(guī)定的信號(hào)范圍內(nèi)的變化量。這兩個(gè)參數(shù)的典型值為2Ω至5Ω，對(duì)于低RON模擬開(kāi)關(guān)，這些參數(shù)僅為0.5Ω。失配度/RON、平坦度/RON這兩個(gè)比值越小，說(shuō)明模擬開(kāi)關(guān)的精度越高。