DDR4,什么是DDR4

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL 而是支持2.5V 的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM 的生產(chǎn)體系制造成本比SDRAM 略高一些但遠(yuǎn)小于Rambus的價(jià)格DDR存儲器代表著未來能與Rambu 相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

基本原理：

DDR400中那個400是指內(nèi)存帶寬，是運(yùn)行頻率的一個折算數(shù)值。DDR400內(nèi)存運(yùn)行在200MHz的時鐘頻率下，而DDR每個時鐘周期可以存取兩次數(shù)據(jù)，所以就相當(dāng)于運(yùn)行頻率為400MHz（200MHz×2）。同樣的算法，DDR2 533內(nèi)存，運(yùn)行頻率133MHz，每個時鐘周期可存取四次數(shù)據(jù)，相當(dāng)于533MHz（133MHz×4）。

當(dāng)然了，數(shù)值越大，頻率越高，內(nèi)存的速度肯定就越快。DDR400內(nèi)存的頻率已經(jīng)接近極限了，顯然DDR2的運(yùn)行頻率要比DDR內(nèi)存低得多，卻能提供更好的性能，所以是今后兩年的主流。

DDR3，4內(nèi)存已經(jīng)有了，速度兩倍于DDR2，目前主要用于對速度要求較高的顯卡上，用來作顯存。以后肯定會逐漸用于主內(nèi)存的。