單結晶體管的工作原理和特性曲線

當b1—b2．間加電源VBB，且發(fā)射極開路時，A點電位及基極b2的電流為：

式中η稱為單結晶體管的分壓比，其數值主要與管子的結構有關，一般在0.5～0.9之間。

圖3 單結晶體管特性曲線的測試

當e一b1電壓Ueb1為零或(Ueb1< UA)時，二極管承受反向電壓，發(fā)射極的電流Ie為二極管的反向電流，記作IEO。

當Ueb1增大，使PN結正向電壓大于開啟電壓時，則IE變?yōu)檎螂娏?，從發(fā)射極e流向基極b1,此時，空穴濃度很高的P區(qū)向電子濃度很低的硅棒的A—b1區(qū)注入非平衡少子；由于半導體材料的電阻與其載流子的濃度緊密相關，注入的載流子使rb1減??；而且rb1的減小，使其壓降減小，導致PN結正向電壓增大，IE隨之增大，注入的載流子將更多，于是rb1進一步減??；當IE增大到一定程度時，二極管的導通電壓將變化不大，此時UEB1。將因rb1的減小而減小，表現出負阻特性。

負阻特性:是指輸入電壓增大到某一數值后，輸入電流愈大，輸入端的等效電阻愈小的特性。

一旦單結晶體管進入負阻工作區(qū)域，輸入電流IE的增加只受輸入回路外部電阻的限制，除非將輸入回路開路或將IE減小到很小的數值，否則管子將始終保持導通狀態(tài)。

單結晶體管的特性曲線

如圖3，當 UEB1增大至UP(峰點電壓)時，PN結開始正向導通，UP=UA+Uon；UEB1再增大一點，管子就進入負阻區(qū)，隨著IE增大，rb1減小，UEB1減小，直至UEB1=Uv(谷點電壓)。IE=IV谷點電流)，IE再增大，管子進入飽和區(qū)。單結晶體管有三個工作區(qū)域

單結晶體管的負阻特性廣泛應用于定時電路和振蕩電路之中。除了單結晶體管外，具有負阻特性的器件還有隧道二極管、A雙極型晶體管、負阻場效應管等。