假設(shè)電荷最初存儲(chǔ)在電極①（加有10V電壓）下面的勢(shì)阱中，如圖2（a）所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱(chēng)為CCD閾值電壓，設(shè)Vth=2V。所以每個(gè)電極下面都有一定深度的勢(shì)阱。顯然，電極①下面的勢(shì)阱最深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時(shí)，①、②兩個(gè)電極下面的勢(shì)阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲(chǔ)在電極①下面的電荷就要在兩個(gè)電極下面均勻分布，（b）和（c）所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢(shì)阱深度降低，（d）和（e）所示，這時(shí)電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢(shì)阱中，此過(guò)程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過(guò)程。如果電極有許多個(gè)，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時(shí)序的驅(qū)動(dòng)脈沖，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過(guò)程。用3相時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的CCD稱(chēng)為3相CCD。

　　特性

　?、僬{(diào)制傳遞函數(shù)MTF特性：固態(tài)圖像傳感器是由像素矩陣與相應(yīng)轉(zhuǎn)移部分組成的。固態(tài)的像素盡管己做得很小，并且其間隔也很微小，但是，這仍然是識(shí)別微小圖像或再現(xiàn)圖像細(xì)微部分的主要障礙。

　?、谳敵鲲柡吞匦裕寒?dāng)飽和曝光量以上的強(qiáng)光像照射到圖像傳感器上時(shí)，傳感器的輸出電壓將出現(xiàn)飽和，這種現(xiàn)象稱(chēng)為輸出飽和特性。產(chǎn)生輸出飽和現(xiàn)象的根本原因是光敏二極管或MOS電容器僅能產(chǎn)生與積蓄一定極限的光生信號(hào)電荷所致。

　?、郯递敵鎏匦裕喊递敵鲇址Q(chēng)無(wú)照輸出，系指無(wú)光像

　　CCD傳感器信號(hào)照射時(shí)，傳感器仍有微小輸出的特性，輸出來(lái)源于暗〔無(wú)照）電流。

　?、莒`敏度：?jiǎn)挝惠椛湔斩犬a(chǎn)生的輸出光電流表示固態(tài)圖象傳感器的靈敏度，它主要與固態(tài)圖像傳感器的像元大小有關(guān)。

　　⑥彌散：飽和曝光量以上的過(guò)亮光像會(huì)在象素內(nèi)產(chǎn)生與積蓄起過(guò)飽和信號(hào)電荷，這時(shí)，過(guò)飽和電荷便會(huì)從一個(gè)像素的勢(shì)阱經(jīng)過(guò)襯底擴(kuò)散到相鄰像素的勢(shì)阱。這樣，再生圖像上不應(yīng)該呈現(xiàn)某種亮度的地方反而呈現(xiàn)出亮度，這種情況稱(chēng)為彌散現(xiàn)象。

　?、逇埾瘢簩?duì)某像素掃描并讀出其信號(hào)電荷之后，下一次掃描后讀出信號(hào)仍受上次遺留信號(hào)電荷影響的現(xiàn)象叫殘像。

　?、叩刃г肼暺毓饬浚寒a(chǎn)生與暗輸出（電壓）等值時(shí)的曝光量稱(chēng)為傳感器的等效噪聲曝光量。