Intel10nm工藝

分析發(fā)現(xiàn)，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術(shù)，晶體管密度達(dá)到了每平方毫米1.008億個(gè)(符合官方宣稱(chēng))，是目前14nm的足足2.7倍！

作為對(duì)比，三星10nm工藝晶體管密度不過(guò)每平方毫米5510萬(wàn)個(gè)，僅相當(dāng)于Intel的一半多，7nm則是每平方毫米1.0123億個(gè)，勉強(qiáng)高過(guò)Intel 10nm。

至于臺(tái)積電、GF兩家的7nm，晶體管密度比三星還要低一些。

換言之，僅晶體管集成度而言，Intel 10nm的確和對(duì)手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好！

另外，Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠(yuǎn)勝對(duì)手。

事實(shí)上與現(xiàn)有其他10nm以及未來(lái)的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標(biāo)。

Intel 10nm的其他亮點(diǎn)還有：

－ BEOL后端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru)，后者是一種貴金屬

－ BEOL后端和接觸位上首次使用自對(duì)齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)

－ 6.2-Track高密度庫(kù)實(shí)現(xiàn)超級(jí)縮放(Hyperscaling)

－ Cell級(jí)別的COAG(Contact on active gate)技術(shù)

當(dāng)然了，技術(shù)指標(biāo)再先進(jìn)，最終也要轉(zhuǎn)換成有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品才算數(shù)。

7nm工藝

若要談7nm的性能強(qiáng)度，我們可以以新款iPhone為例，談?wù)?nm和Intel10nm處理器的差距。新款iPhone最吸引人的創(chuàng)新其實(shí)就是這款基于7nm工藝制程的A12處理器，蘋(píng)果僅用一年時(shí)間就從10nm制程的A11升級(jí)到可以商用的7nm制程芯片，而其他移動(dòng)芯片廠商比如高通，可能要在2019年才能推出基于7nm制程的芯片。

預(yù)計(jì)A12處性能相較理器于A11 Fusion會(huì)有更加明顯的提升，CPU性能預(yù)計(jì)提升在25%左右，圖像處理性能可能會(huì)提升超過(guò)30%。沒(méi)有意外的話GPU內(nèi)核將由3個(gè)提升到6個(gè)，并且會(huì)結(jié)合AR應(yīng)用推出更多有意思的AR游戲，新一代怪獸級(jí)別的處理器即將誕生。

新推出的iPhone X Plus電池容量預(yù)計(jì)會(huì)在3200mAh左右，根據(jù)A12代工廠臺(tái)積電官網(wǎng)顯示，7nm制程的芯片功耗相比上一代芯片最高可以降低40%！這才是真正的突破，下一代大屏iPhone X Plus的續(xù)航可能不再會(huì)是iPhone的短板了。而5.8和6.1英寸的iPhone電池容量可能不會(huì)有明顯變化，但是續(xù)航相較于A11處理器的iPhone X還是會(huì)好一些。

臺(tái)積電表示5nm工藝的芯片可能會(huì)在2019年年底或2020年年初才能量產(chǎn)，而蘋(píng)果A13處理器依舊由臺(tái)積電生產(chǎn)的話，很有可能依舊會(huì)用7nm的制程。

不過(guò)近幾年移動(dòng)芯片工藝的提升比我們想象的要快得多，并且5nm很有可能是目前芯片的極限，如果要進(jìn)一步提升工藝的話，目前最大的難題依舊是FinFET結(jié)構(gòu)也不能在保障性能的前提下同時(shí)抑制漏電情況，在這樣小的尺度下，可能會(huì)有經(jīng)典物理的短溝道效應(yīng)、量子力學(xué)的量子隧穿效應(yīng)等等物理學(xué)的影響，目前還沒(méi)有很好的方法應(yīng)對(duì)這些情況。