???????? DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SD RAM的升級(jí)版本，DDR在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號(hào)，因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號(hào)則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。

??????? 圖1就是三代DDR內(nèi)存的全家照，從上到下分別是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢記住它們的樣子，因?yàn)楹竺娴膬?nèi)容會(huì)提到這幅圖。

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　　(圖1)DDR3,DDR2,DDR外觀區(qū)別

　　防呆缺口：位置不同防插錯(cuò)

　　圖1紅圈圈起來的就是我們說的防呆缺口，目的是讓我們安裝內(nèi)存時(shí)以免插錯(cuò)。我們從圖1可以看見三代內(nèi)存上都只有一個(gè)防呆缺口，大家注意一下這三個(gè)卡口的左右兩邊的金屬片，就可以發(fā)現(xiàn)缺口左右兩邊的金屬片數(shù)量是不同的。

　　比如DDR 內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個(gè)(雙面184個(gè))，缺口左邊為52個(gè)針腳， 缺口右邊為40個(gè)針腳;DDR2 內(nèi)存單面金手指120個(gè)(雙面240個(gè))，缺口左邊為64個(gè)針腳，缺口右邊為56個(gè)針腳;DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(gè)(雙面240個(gè))，缺口左邊為72個(gè)針腳，缺口右邊為48個(gè)針腳。

　　芯片封裝：濃縮是精華

　　在不同的內(nèi)存條上，都分布了不同數(shù)量的塊狀顆粒，它就是我們所說的內(nèi)存顆粒。同時(shí)我們也注意到，不同規(guī)格的內(nèi)存，內(nèi)存顆粒的外形和體積不太一樣，這是因?yàn)閮?nèi)存顆?！鞍b”技術(shù)的不同導(dǎo)致的。一般來說，DDR內(nèi)存采用了TSOP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)封裝技術(shù)，又長又大。而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA(底部球形引腳封裝)封裝技術(shù)，與TSOP相比，內(nèi)存顆粒就小巧很多，F(xiàn)BGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優(yōu)勢明顯。

　　TSOP是內(nèi)存顆粒通過引腳(圖2黃色框)焊接在內(nèi)存PCB上的，引腳由顆粒向四周引出，所以肉眼可以看到顆粒與內(nèi)存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點(diǎn)，并且顆粒封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，但焊點(diǎn)和PCB的接觸面積較小，使得DDR內(nèi)存的傳導(dǎo)效果較差，容易受干擾，散熱也不夠理想。

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　　(圖2)一顆DDR現(xiàn)代內(nèi)存芯片焊接細(xì)節(jié)-黃色部分為焊接引腳

　　FBGA封裝把DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒做成了正方形(圖3)，而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，內(nèi)存PCB上也看不到DDR內(nèi)存芯片上的柱狀金屬觸點(diǎn)，因?yàn)槠渲鶢詈更c(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，所有的觸點(diǎn)就被“包裹”起來了，外面自然看不到。其優(yōu)點(diǎn)是有效地縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離。

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　　(圖3)DDR2和DDR3的方形內(nèi)存顆粒-這是DDR2/DDR3與DDR一大顯著差別

　　速度與容量：成倍提升

　　前面我們教大家如何計(jì)算內(nèi)存帶寬大小，其實(shí)我們?cè)谶x擇內(nèi)存和CPU搭配的時(shí)候就是看內(nèi)存帶寬是否大于或者等于CPU的帶寬，這樣才可以滿足CPU的數(shù)據(jù)傳輸要求。

　　而我們從帶寬公式(帶寬=位寬×頻率÷8)可以得知，和帶寬關(guān)系最緊密的就是頻率。這也是為什么三代內(nèi)存等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的帶寬。

　　不僅速度上有所提升，而且隨著我們應(yīng)用的提高，我們也需要更大容量的單根內(nèi)存，DDR時(shí)代賣得最火的是512MB和1GB的內(nèi)存，而到了DDR2時(shí)代，兩根1GB內(nèi)存就只是標(biāo)準(zhǔn)配置了，內(nèi)存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今后還會(huì)有單根8GB的內(nèi)存出現(xiàn)。這說明了人們的對(duì)內(nèi)存容量的要求在不斷提高。

　　延遲值：一代比一代高

　　任何內(nèi)存都有一個(gè)CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時(shí)間一樣。一般而言，內(nèi)存的延遲值越小，傳輸速度越快。

　　從DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR內(nèi)存的延遲值(第一位數(shù)值大小最重要，普通用戶關(guān)注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時(shí)代，延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時(shí)代，延遲值也繼續(xù)提升到了5、6、7、8或更高。

　　功耗：一次又一次降低

　　電子產(chǎn)品要正常工作，肯定要有電。有電，就需要工作電壓，該電壓是通過金手指從主板上的內(nèi)存插槽獲取的，內(nèi)存電壓的高低，也反映了內(nèi)存工作的實(shí)際功耗。一般而言，內(nèi)存功耗越低，發(fā)熱量也越低，工作也更穩(wěn)定。DDR內(nèi)存的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時(shí)代，工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3內(nèi)存時(shí)代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節(jié)省30%～40%的功耗。為此我們也看到，從DDR內(nèi)存發(fā)展到DDR3內(nèi)存，盡管內(nèi)存帶寬大幅提升，但功耗反而降低，此時(shí)內(nèi)存的超頻性、穩(wěn)定性等都得到進(jìn)一步提高。

　　制造工藝：不斷提高

　　從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低。譬如DDR內(nèi)存顆粒廣泛采用0.13微米制造工藝，而DDR2顆粒采用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則采用了全新65nm制造工藝(1微米=1000納米)。

　　總結(jié)

　　對(duì)于大多數(shù)用戶來說2GB DDR2 800的內(nèi)存就足夠了，而偏高端一點(diǎn)的電腦使用總?cè)萘繛?GB的內(nèi)存就差不多了。