動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-04-03 01:08

  10.2.6 認(rèn)知無(wú)線(xiàn)電集成電路∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  CognitiveRadioIntegratedCircuit審稿人：清華大學(xué)池保勇https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代

  集成電路 無(wú)線(xiàn)電

  782瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-04-02 05:01

  10.2.5 量子集成電路∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  我們QuantumIntegratedCircuit審稿人：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所吳南健http://www.semi.ac.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Alte

  集成電路

  854瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-04-02 01:13

  10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  10.1.1碰撞電離和雪崩擊穿10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系

  碳化硅

  837瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-04-01 03:01

  ９.３.６.2　負(fù)的柵極脈沖關(guān)斷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.３.６.2負(fù)的柵極脈沖關(guān)斷９.３.６關(guān)斷過(guò)程９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK

  碳化硅

  776瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-04-01 01:07

  10.2.4 太赫茲集成電路(THz IC)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  TerahertzIntegratedCircuits(THzIC)審稿人：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉力源http://www.semi.ac.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP

  集成電路 太赫茲

  980瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-03-31 01:09

  ９.３.６.1　電壓反轉(zhuǎn)關(guān)斷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.３.６.1電壓反轉(zhuǎn)關(guān)斷９.３.６關(guān)斷過(guò)程９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK72

  電壓

  499瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-03-31 01:07

  10.2.3 可重構(gòu)計(jì)算集成電路∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  ReconfigurableComputingIntegratedCircuits審稿人：清華大學(xué)劉雷波https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD

  集成電路

  717瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-03-30 03:01

  ９.３.５　di/dt的限制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.３.５di/dt的限制９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V300PtP

  碳化硅

  575瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-03-30 01:07

  10.2.2 類(lèi)腦芯片∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  Brian-inspiredChip審稿人：清華大學(xué)何偉https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)

  芯片

  646瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-03-29 01:09

  ９.３.４　dv/dt觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.３.４dv/dt觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V300PtPH

  碳化硅

  586瀏覽量