動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-03-24 18:29

  ９.２.４　器件參數(shù)的溫度特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.２.４器件參數(shù)的溫度特性９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微

  元器件 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2022-03-24 16:57

  ９.２.３　開(kāi)關(guān)特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.２.３開(kāi)關(guān)特性９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK720

  開(kāi)關(guān)

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• 發(fā)布了文章 2022-03-24 16:55

  10.1.6 磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  MagnetoresistiveRandomAccessMemory（MRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MC

  存儲(chǔ)器

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• 發(fā)布了文章 2022-03-22 03:01

  ９.２.２　阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.２.２阻斷電壓壓關(guān)系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK

  電壓

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• 發(fā)布了文章 2022-03-22 01:05

  10.1.5 負(fù)柵電容晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)審稿人：北京大學(xué)蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTM

  晶體管

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• 發(fā)布了文章 2022-03-21 01:05

  ９.２.１　電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.２.１電流-電壓關(guān)系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK

  電壓 SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-03-21 01:04

  10.1.4 自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  SpinField-effectTransistor撰稿人：清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A

  晶體管

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• 發(fā)布了文章 2022-03-20 01:06

  10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  ImpactIonizationMOS撰稿人：清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型

  MOS

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• 發(fā)布了文章 2022-03-19 01:07

  ９.１.１０阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  ９.１.１０阻斷電壓９.１雙極結(jié)型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V

  電壓

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• 發(fā)布了文章 2022-03-19 01:06

  10.1.2 隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  TunnelingField-effectTransistor撰稿人：清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP

  晶體管

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