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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2024-11-13 11:10

  智能家居產(chǎn)品EMC檢測-控制系統(tǒng)測試

  

  產(chǎn)品型號：EMC檢測 服務(wù)區(qū)域：全國 服務(wù)資質(zhì)：CMA/CNAS 服務(wù)周期：常規(guī)3-5個工作日

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2024-11-13 11:05

  船用設(shè)備電磁兼容檢測-電子電氣設(shè)備測試

  

  產(chǎn)品型號：EMC檢測 服務(wù)區(qū)域：全國 服務(wù)資質(zhì)：CMA/CNAS 服務(wù)周期：常規(guī)5-7個工作日

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2024-11-13 10:59

  船用電子產(chǎn)品EMC檢測

  

  產(chǎn)品型號：EMC檢測 服務(wù)區(qū)域：全國 服務(wù)周期：常規(guī)5-7個工作日 服務(wù)資質(zhì)：CMA/CNAS

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2024-11-13 10:56

  智能網(wǎng)聯(lián)汽車部件EMC檢測

  

  產(chǎn)品型號：EMC檢測 服務(wù)品牌：廣電計(jì)量 服務(wù)區(qū)域：全國 服務(wù)資質(zhì)：CMA/CNAS

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• 發(fā)布了文章 2024-11-12 15:58

  合作案例 | 一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件耐高壓的秘密

  

  引言氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。面向中高功率市場的氮化鎵半導(dǎo)體IDM遠(yuǎn)山半導(dǎo)體是一家第三代半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)企業(yè)，具備完整的“外延材料+芯片制造”自主核心技術(shù)與生

  功率器件 失效分析 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2024-10-18 14:33

  GRGTEST | 電源模塊篩選項(xiàng)目之電性能檢測

  

  電源模塊是什么？電源模塊被稱為電路中的能源供應(yīng)站。它通過對電壓的轉(zhuǎn)換，把所需要的電流轉(zhuǎn)換成用戶所需要的直流電或交流電。通過電源模塊可以為相關(guān)系統(tǒng)中的儀表或控制設(shè)備提供穩(wěn)定的交、直流電源輸出。而穩(wěn)定的電流可以為電路帶來著隔離、保護(hù)、電壓變換、穩(wěn)壓、降噪等作用。電源模塊的組成部分主要有電解電容、光電耦合器、印制電路板、半導(dǎo)體器件、開關(guān)變壓器、電位器、熔斷器等。模

  檢測 模組 電池 電源

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• 發(fā)布了文章 2024-10-15 14:38

  AI 芯片：算力功耗與安全并重，探尋功能安全新要求

  

  人工智能安全第一！隨著人工智能（AI）技術(shù)的迅猛發(fā)展，AI芯片正逐漸成為推動智能化應(yīng)用的重要引擎。它們被廣泛應(yīng)用于自動駕駛、機(jī)器人、智能家居、醫(yī)療診斷等關(guān)鍵領(lǐng)域，賦能各類復(fù)雜計(jì)算任務(wù)。然而，AI芯片復(fù)雜的硬件架構(gòu)、算法依賴性以及高效處理大量數(shù)據(jù)的能力，既帶來了前所未有的性能提升，也帶來了潛在的功能安全挑戰(zhàn)。AI芯片集成了大規(guī)模并行計(jì)算單元，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的深度

  AI AI芯片 人工智能 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-09-26 11:42

  技術(shù)前沿 | 搭建數(shù)字孿生模型，開啟動力電池服務(wù)新篇章

  

  廣電計(jì)量利用數(shù)字孿生技術(shù)，為上下游企業(yè)提供可視化的電池產(chǎn)品全生命周期健康優(yōu)化管理服務(wù)，為產(chǎn)品運(yùn)行和改進(jìn)提供更加精確的決策支持。

  新能源 電池包 電池測試

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• 發(fā)布了文章 2024-09-26 11:40

  干貨分享 | 關(guān)于空間輻射位移效應(yīng)的考核

  

  目前在元器件位移效應(yīng)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)主要有GJB548 方法1017.1，該標(biāo)準(zhǔn)只規(guī)定了以1MeV等效中子作為輻照源，但標(biāo)準(zhǔn)描述了該試驗(yàn)的目的是考核以非電離能量損失（NIEL Non-Ionizing Energy Loss）作為衡量不同能量中子的等效性。

  元器件 半導(dǎo)體 空間輻射

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• 發(fā)布了文章 2024-09-18 10:55

  廣電計(jì)量|功率場效應(yīng)管過壓失效機(jī)理及典型特征分析

  

  失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過電失效，分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品，其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面積熔融，導(dǎo)致難以進(jìn)一步判定其失效模式。本文以常規(guī)MOS、IGBT場效應(yīng)管為例，從芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析和明確過壓擊穿容易出現(xiàn)的失效位置及機(jī)理解釋。

  EOS MOS 場效應(yīng)管 失效分析 失效機(jī)理

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