動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-11-27 15:48

  MOSFET：電子世界的“開關大師”與技術演進

  

  在現代電子設備的核心部件中，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）無疑是當之無愧的“開關大師”。從智能手機的芯片到新能源汽車的動力控制系統(tǒng)，從光伏逆變器到工業(yè)機器人，MOSFET以其高效的開關特性和穩(wěn)定的控制性能，支撐著整個電子信息產業(yè)的運轉。對于電子工程相關專業(yè)的學生和行業(yè)從業(yè)者而言，深入理解MOSFET的技術本質、發(fā)展脈絡與應用邏輯，既是夯實專

  MOS管 場效應管 電子元器件 驅動芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-11-25 14:38

  ZK3080T：低壓大電流場景下的功率器件標桿

  

  在功率電子技術飛速發(fā)展的今天，元器件的性能直接決定了電子設備的可靠性、效率與安全性。ZK3080T作為一款在低壓大電流領域表現突出的功率器件，其“30V/80A”的核心參數組合、TO-252封裝設計以及±20%的參數精度控制，使其成為消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等領域的優(yōu)選元器件。深入剖析ZK3080T的技術特性、應用價值與使用要點，對于電子工程師優(yōu)化電路設

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• 發(fā)布了文章 2025-11-17 11:19

  中科微電ZK40N100G：Trench工藝+緊湊封裝，中低壓大電流場景新標桿

  

  在功率半導體器件向“高效化、小型化、高可靠性”轉型的趨勢下，中科微電推出的N溝道MOS管ZK40N100G，憑借40V耐壓、90A大電流的硬核參數，搭配Trench（溝槽）工藝與PDFN5x6-8L緊湊封裝，精準破解中低壓場景下“大電流承載、低能耗、小體積”的核心痛點，成為消費電子、工業(yè)控制、汽車電子等領域的優(yōu)選解決方案。本文將從參數解析、技術優(yōu)勢、場景落地

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• 發(fā)布了文章 2025-11-07 17:27

  低壓大電流新選擇：ZK40N190G MOSFET的技術優(yōu)勢與應用價值

  

  在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領域的快速發(fā)展中，低壓大電流場景對功率器件的承載能力、散熱性能和可靠性提出了越來越高的要求。ZK40N190G作為一款采用Trench溝槽工藝的N溝道MOSFET，以40V耐壓、190A超大電流承載能力及PDFN5x6-8L封裝優(yōu)勢，精準匹配低壓大電流功率變換需求，成為眾多高功率密度設備的核心功率器件選擇。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 16:52

  能量調控的精巧使者：ZK68N80T MOSFET的特性與價值

  

  在電力電子系統(tǒng)的精密架構中，MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）始終占據著核心地位，它們如同能量流轉的“閘門”，精準控制著電流的通斷與強弱。ZK68N80T這款N溝道MOSFET，以其明確的性能標識、優(yōu)化的封裝設計和先進的制造工藝，成為眾多設備中不可或缺的“能量調控使者”，在方寸之間演繹著高效與可靠的雙重擔當。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 16:25

  功率器件MOS管中的實干家：ZK100G120B的性能優(yōu)勢與場景賦能

  

  在布滿精密元件的電路板上，功率器件就像“能量調度官”，負責電能的高效傳輸與精準控制。ZK100G120B這款標注著“100V、120A、SGT、TO-263-2L”的器件，沒有華麗的外觀，卻以扎實的參數配置和可靠的性能表現，在中低壓功率場景中占據重要地位。當我們深入解讀它的各項參數密碼，便能發(fā)現它成為眾多工程師首選的核心原因。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 14:49

  中科微電ZK40P80G：小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇

  

  中科微電推出的ZK40P80G P溝道MOS管，突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDFN5x6-8L緊湊封裝相結合，搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝，為小型化、高功率密度設備提供了理想的功率解決方案。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 14:35

  ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔當

  

  中科微電深耕功率器件領域，針對P溝道器件的應用痛點，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強勁參數，搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標準。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 13:44

  中科微電ZK150G002P：高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破

  

  在功率半導體器件的迭代浪潮中，N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關特性與電流控制能力，成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提出更高要求時，一款兼具150V高耐壓、200A大電流與3.5毫歐低導通電阻的N溝槽MOS管——ZK150G002P應運而生。它不僅精準契合了新能源、工業(yè)控制等領域的嚴苛需求，更以硬核參數彰顯了功率半導體技術的

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• 發(fā)布了文章 2025-11-05 16:30

  ZK40N100G：PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標桿

  

  在中低壓功率電子系統(tǒng)的設計中，MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現，是決定產品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管，以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L緊湊封裝及Trench工藝加持，精準適配消費電子、新能源、工業(yè)控制等領域的大功率需求，成為兼顧“強性能、小體積、高效率”的優(yōu)選器件，為電路設計突破空間與能效瓶頸提

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