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動態(tài)

發(fā)布了文章 2025-10-11 14:52

普誠PT2432與PT2432C：同系列功率MOS管的場景適配與性能升級

作為功率半導體領域的同系列產品，PT2432 與 PT2432C 雖共享核心技術架構，卻在參數細節(jié)與場景適配性上形成互補，精準覆蓋不同功率控制需求。

MOS 半橋驅動場效應管電子元器件
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發(fā)布了文章 2025-10-10 17:51

中科微電ZK60N120G：SGT工藝賦能的高壓大電流MOS管標桿

中科微電ZK60N120G是一款專為中大功率場景設計的N 溝道增強型功率MOS管，其型號編碼精準勾勒出核心性能邊界：“60” 代表60A連續(xù)漏極電流（ID），可穩(wěn)定承載電機、電源等重型負載的持續(xù)電流需求；“120” 指向1200V漏源極擊穿電壓（BVdss），適配220V交流整流后的高壓母線環(huán)境，為電路提供充足的電壓冗余。

MOS管半橋驅動芯片場效應管電子元器件
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發(fā)布了文章 2025-10-10 17:26

普誠PT2432：集成化三相無感驅動IC的技術突破與場景革命

普誠 PT2432 并非單一功能芯片，而是一款整合控制、驅動與保護單元的三相無傳感器無刷直流電機驅動 IC，是臺灣普誠科技（PTC）針對中小功率驅動場景打造的里程碑產品。其核心創(chuàng)新在于通過 Multi-power BCD 工藝，將三相 MOS 管功率橋、反電動勢檢測電路、速度控制模塊及保護機制壓縮至單芯片，徹底改變了傳統(tǒng) “控制 IC + 外置 MOS 管

電子元器件芯片驅動IC
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發(fā)布了文章 2025-10-09 16:49

中科微電MOS管ZK30N100G的技術優(yōu)勢與場景革命

中科微電ZK30N100G的型號命名，是對其核心性能的直觀注解：“30” 對應30A持續(xù)漏極電流（I_D），滿足中大功率設備的電流承載需求；“100” 代表1000V漏源極擊穿電壓（V_DS），輕松應對工業(yè)高壓、光伏逆變等高壓工況；后綴 “G” 則標志著其采用中科微電自研的優(yōu)化封裝與SGT工藝，為性能釋放提供硬件支撐。

MOS管場效應管電子元器件驅動芯片
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發(fā)布了文章 2025-10-09 16:25

中科微電mos管ZK60N120G：高壓大電流場景下的N溝道MOS管性能標桿

ZK60N120G 作為一款高性能 N 溝道增強型 MOS 管，憑借其在高壓耐受與大電流承載方面的突出表現(xiàn)，成為工業(yè)自動化、新能源設備等中大功率場景的關鍵器件。該器件采用先進的功率半導體工藝制造，通過優(yōu)化的芯片結構設計，實現(xiàn)了擊穿電壓、導通損耗與開關速度的精準平衡，為復雜電氣環(huán)境下的功率控制提供了可靠解決方案。

MOS管場效應管驅動芯片
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發(fā)布了文章 2025-09-30 13:50

中科微電車規(guī)MOS管ZK60G270G：汽車核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案

中科微電車規(guī)MOS管ZK60G270G：汽車核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案

MOS管場效應管驅動芯片
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發(fā)布了產品 2025-09-30 11:20

中科微電mos管ZK60N20DG

產品型號：ZK60N20DG BVdss：60V ID：20A Vgs：±20
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發(fā)布了產品 2025-09-30 11:13

中科微電mos管ZK30N100Q

產品型號：ZK30N100Q BVdss：30V ID：90A Vgs：±20
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發(fā)布了文章 2025-09-30 11:08

MOS管ZK30N100Q：高壓大電流場景的可靠功率控制解決方案

在工業(yè)加熱控制、光伏逆變、電機驅動等高壓大電流場景中，功率器件的性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性與安全性 —— 既要耐受上千伏的高壓沖擊，又要穩(wěn)定承載數十安培的工作電流，還需盡可能降低導通損耗以控制能耗。而 N 溝道功率 MOS 管 ZK30N100Q，恰好以 1000V 漏源極耐壓、30A 持續(xù)漏極電流的核心參數，以及優(yōu)化的開關特性與散熱設計，精準匹配這類

MOS管 N溝道管場效應管
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發(fā)布了產品 2025-09-30 10:59

中科微電MOS管ZK60N20DS

產品型號：ZK60N20DS BVdss：60V ID：20A Vgs：±20
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