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• 發(fā)布了文章 2026-01-06 16:49

  澤攸科技 | EBL和EUV光刻機有何區(qū)別？如何影響半導體行業(yè)？

  

  從技術路徑上看，電子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一類問題的解法。電子束光刻本質上是一種直接寫入技術，利用聚焦電子束在抗蝕劑上逐點曝光，通過電磁控制精確描繪圖形。這種方式不依賴掩模，在設計頻繁迭代的研發(fā)階段非常有優(yōu)勢，尤其適合量子器件、新型材料結構、原型芯片以及掩模制作等場景。

  半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-08-19 10:31

  澤攸科技 | 臺階儀：微觀形貌的精密解析工具 —— 原理、技術與產業(yè)化應用

  

  在精密制造與前沿科研領域，微觀表面形貌的量化表征是保障產品性能與推動技術創(chuàng)新的關鍵環(huán)節(jié)。臺階儀作為一種高精度表面測量儀器，通過對樣品表面高度差、粗糙度及薄膜厚度等參數(shù)的精確獲取，為半導體、納米材料、光學工程等領域提供了不可或缺的技術支撐。

  測量儀 測量設備 精密測量

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• 發(fā)布了產品 2025-08-15 15:14

  電子束光刻機

  

  產品型號：ZEL304G 標配：激光干涉樣品臺 樣品臺行程：≤105 mm 圖像分辨率：≤1nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1kV

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• 發(fā)布了產品 2025-08-15 15:11

  DMD無掩膜光刻機

  

  產品型號：ZML 紫外光源中心波長：405 nm 曝光均勻度：90%以上 最小特征線寬：0.5um

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• 發(fā)布了產品 2025-08-15 15:09

  全自動臺階儀JS2000C/3000C

  

  產品型號：JS2000C/3000C 臺階高度最大范圍：160um 臺階高度重復性：≤0.5nm 探針加力范圍：0.5mg~50mg

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• 發(fā)布了產品 2025-08-15 15:07

  半自動臺階儀JS100C/200C/300C

  

  產品型號：JS100C/200C/300C 樣品尺寸：6寸（JS100C）/ 8寸（JS200C）/ 12寸（JS 重復性測量偏差：≤0.5nm(1o lum標準塊重復掃描30次) 注釋：詳情咨詢澤攸科技

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• 發(fā)布了產品 2025-08-15 15:05

  手動臺階儀JS10C

  

  產品型號：JS10C 型號：JS10C

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• 發(fā)布了產品 2025-08-15 15:02

  ZEM Pro單晶燈絲臺式掃描電鏡

  

  產品型號：ZEM Pro 分辨率：優(yōu)于3nm 放大倍數(shù)：360000

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• 發(fā)布了產品 2025-08-15 11:46

  ZEM20臺式掃描電鏡

  

  產品型號：ZEM20 分辨率：優(yōu)于4nm 放大倍數(shù)：360000

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• 發(fā)布了產品 2025-08-15 11:38

  ZEM Ultra場發(fā)射臺式掃描電鏡

  

  產品型號：ZEM Ultra 分辨率：優(yōu)于2.5nm 放大倍數(shù)：100萬倍

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