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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 中國汽車制造商爭相建立自家半導(dǎo)體供應(yīng)鏈2023-12-07 15:09

    中國汽車希望建立一個(gè)不受美國貿(mào)易管制影響的供應(yīng)鏈,中國最大的汽車制造商中有更多的人選擇從國內(nèi)渠道采購更多的半導(dǎo)體。其中包括長城汽車,它表示已經(jīng)開始制造功率半導(dǎo)體,這是"突破技術(shù)壁壘"的一個(gè)新步驟。
  • 使用MOSFET對流電進(jìn)行限制2023-12-07 15:08

    一個(gè)專用的電流限制 IC,配合兩個(gè) MOSFET,可將電流限制在 150 mA 到 1 A 之間。如果電流流動(dòng)達(dá)到極限,它將被切斷并在一定的等待期后恢復(fù),或者電流流動(dòng)將被不斷中斷,直到下一次開關(guān),或者通過降低電壓來限制電流。此時(shí),內(nèi)部的MOSFET會(huì)在歐姆區(qū)域進(jìn)行操作,這是一種線性調(diào)節(jié)器功能。在這些可調(diào)節(jié)的限制模式中,內(nèi)部MOSFET總是處于SOA內(nèi)并且不會(huì)
    IC MOSFET 電流 電流控制 1459瀏覽量
  • 鋁在下一代電池中的意外回歸2023-12-06 16:19

    從筆記本電腦和智能手機(jī)到電動(dòng)汽車和可再生能源儲(chǔ)存,大多數(shù)高科技設(shè)備對電池技術(shù)有明確的要求。過去三十年中,由于其高能量密度和長壽命,鋰離子(Li-ion)電池設(shè)立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。然而,隨著下一代長程車輛和電動(dòng)飛機(jī)的出現(xiàn),鋰離子電池的限制正受到挑戰(zhàn),尋找更安全、更經(jīng)濟(jì)、更強(qiáng)大的替代品越來越緊迫。
  • 西門子與英特爾共同研發(fā)制造先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)2023-12-05 17:15

    為滿足全球?qū)Π雽?dǎo)體的日益增長的需求,英特爾認(rèn)為必須有更可持續(xù)、更具彈性和全球平衡的供應(yīng)鏈。英特爾和西門子將深化合作,以尋找西門子自動(dòng)化解決方案組合的新應(yīng)用,這些應(yīng)用有助于提高半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施、設(shè)施和工廠運(yùn)營的可持續(xù)性和效率。這項(xiàng)備忘錄將讓無論是區(qū)域還是全球的產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈都能獲益。
  • 發(fā)光二極管的原理和應(yīng)用2023-12-05 17:14

    LED技術(shù)基于發(fā)光二極管的原理,通過載流子的復(fù)合釋放出光能,實(shí)現(xiàn)光的發(fā)射。LED技術(shù)的應(yīng)用廣泛,包括照明、顯示、通信等領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,LED的亮度和效果不斷提升,成為替代傳統(tǒng)照明技術(shù)的主要選擇。值得注意的是,雖然LED技術(shù)在能源消耗和環(huán)境保護(hù)方面有著顯著的優(yōu)勢,但是在制造過程中也存在一定的環(huán)境污染問題,需要進(jìn)一步研究和改進(jìn)
    led 二極管 電子元件 1746瀏覽量
  • 博通斥資690億美元收購VMware后全球裁員已超2800人2023-12-04 16:02

    來自VMware內(nèi)部的消息透露,裁員總數(shù)可能在1萬至2萬之間。許多裁員是階段性進(jìn)行的,時(shí)間跨度可能長達(dá)9個(gè)月。VMware的超過3.8萬名員工遍布全球各地,所以博通收購VMware交易后的裁員將會(huì)產(chǎn)生全球影響。
    VMware 博通 1009瀏覽量
  • 汽車電氣化需求正在刺激封裝技術(shù)創(chuàng)新2023-12-04 16:01

    現(xiàn)代的汽車已由復(fù)雜的機(jī)械系統(tǒng)逐漸演變?yōu)閺?fù)雜的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。文章著重探討了整合大量電子控制單元(ECUs)和轉(zhuǎn)向區(qū)域架構(gòu)的挑戰(zhàn)和創(chuàng)新,關(guān)注點(diǎn)在于封裝創(chuàng)新如何釋放這場科技革命的潛力。如今的汽車已不再是我們熟悉的傳統(tǒng)車輛,它們更像是一臺(tái)裝有輪子的電子設(shè)備。
  • 碳化硅開啟功率半導(dǎo)體的新時(shí)代2023-12-01 17:49

    隨著電動(dòng)汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環(huán)境下工作的要求日益加大,碳化硅(SiC)因其制造和包裝成本高昂,推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變,根據(jù)PowerAmerica首席技術(shù)官Victor Veliadis介紹,目前SiC電力模塊的價(jià)格已經(jīng)與硅基模塊持平,這進(jìn)一步促進(jìn)了供應(yīng)合作以及新的SiC工廠的建造。
  • 中國長鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成2023-12-01 17:48

    長鑫存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布,已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列產(chǎn)品。該產(chǎn)品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM),相比上一代 LPDDR4X,新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%,容量
  • 碳化硅的超強(qiáng)性能2023-12-01 17:46

    電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點(diǎn)尺寸的減小。硅電力開關(guān),如MOSFETs和IGBTs,被設(shè)計(jì)用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開關(guān)管理著大量的電力!然而,他們的能力有限,這正推動(dòng)著新材料如碳化硅(SiC)的開發(fā)。在這種材料中,電子開始自由運(yùn)動(dòng)需要的能量是普通硅的三倍。這種更寬的帶隙賦予了材料一些有趣的特性,如更快的開關(guān)速度和更高的功率
    IGBT MOSEET SiC 664瀏覽量