太空方面的電子內(nèi)容日益增多，現(xiàn)在有數(shù)千顆衛(wèi)星在天空，其中大多數(shù)都已經(jīng)變成太空垃圾。衛(wèi)星系統(tǒng)變得愈來愈精密，與過去結(jié)構(gòu)單純的系統(tǒng)完全不可同日而語。大多數(shù)人不清楚太空中有多少顆衛(wèi)星，不過，只要透過網(wǎng)際網(wǎng)路連上Google地球。

　　設(shè)計能夠承受許多輻射效應(yīng)的電路極其必要，對于太空航空應(yīng)用，以及現(xiàn)今的醫(yī)療應(yīng)用更是如此。診斷及安全設(shè)備愈來愈仰賴耐輻射的晶片。現(xiàn)今的牙科醫(yī)療X光及CT掃描儀診斷設(shè)備，一般均使用電子成像與資料轉(zhuǎn)換晶片，而非使用晶片進(jìn)行攝影。這些設(shè)備能夠以近乎即時的速度產(chǎn)生影像，完全不需要等候技術(shù)人員沖洗膠片，才能決定拍攝的影像是否正確。隨著時間累積的輻射效應(yīng)會對設(shè)備造成影響，例如機(jī)場中持續(xù)使用的 X 光檢查設(shè)備即是如此。

　　太空應(yīng)用中的電力電子產(chǎn)品對于很容易受重離子所影響，尤其是高電壓電子產(chǎn)品。重離子穿透半導(dǎo)體材質(zhì)時，會使電荷累積，而形成小型暫時傳導(dǎo)路徑，這就如同一個小閃電一般，一旦小型暫時傳導(dǎo)路徑形成，就會從正極高電壓電源接地釋放高電流。在許多情況下，這會穿透介電，而使得許多電源半導(dǎo)體裝置，發(fā)生閘極穿通效應(yīng)及開路。電源元件製造商一般會將裝置的一般安全運(yùn)作供電電壓降低 20% 至 50%，以避免如此的問題發(fā)生。

　　TI的高可靠性（HiRel）產(chǎn)品部門是耐輻射半導(dǎo)體的主要供應(yīng)單位。開發(fā)與測試電路時，均對于醫(yī)療、航空及太空應(yīng)用的電子系統(tǒng)有害的各種輻射效應(yīng)加以防範(fàn)。衛(wèi)星發(fā)射升空完成部署后，如果發(fā)生問題，無法對衛(wèi)星進(jìn)行維修。即使衛(wèi)星有備援系統(tǒng)，效果也相當(dāng)有限。

　　測試太空應(yīng)用的元件相當(dāng)不容易。首先，地面的測試機(jī)組由于本身的機(jī)械能源限制，無法重現(xiàn)太空中所遭受的確切效應(yīng)。另外，無法長年測試元件是否適合太空中使用。因此，通常使用加速測試技術(shù)。

　　加速測試技術(shù)嘗試重現(xiàn)元件在10至15年太空任務(wù)中，可能承受的低劑量輻射所造成的效應(yīng)。太空應(yīng)用的這些技術(shù)有時令人毫無頭緒。在某些情況下，同一個元件在低劑量率下會產(chǎn)生非預(yù)期的結(jié)果，而在高劑量率下卻一切正常，這就是所謂的增強(qiáng)低劑量率靈敏度（enhanced low-dose rate sensitivity; ELDRS）問題，這個問題一直是現(xiàn)今許多輻射會議與標(biāo)準(zhǔn)會商的討論主題。

　　在高輻射環(huán)境中電路效率的影響方面，電路技術(shù)也相當(dāng)重要。CMOS、雙極、GaAs、SiGe 及其他製程技術(shù)在不同的輻射效應(yīng)下的運(yùn)作互有優(yōu)劣。對于各種效應(yīng)可達(dá)到高耐受度的高可靠性產(chǎn)品而言，瞭解這些技術(shù)的運(yùn)作至關(guān)重要。如果無法實際測量某些條件，僅能透過統(tǒng)計數(shù)據(jù)及有限的資料進(jìn)行預(yù)測。

　　由于測試機(jī)組能夠產(chǎn)生的粒子能量類型相當(dāng)有限，因此必須瞭解產(chǎn)品運(yùn)作的環(huán)境，并且必須確保電路穩(wěn)定，并且能夠承受具體的特定效應(yīng)。在必須穩(wěn)定的系統(tǒng)中使用 HiRel產(chǎn)品有助于降低系統(tǒng)失效的風(fēng)險。為了降低成本而製作不確實，會危及數(shù)百萬美元的太空或航空硬體?？倸w一句話，這確實超越太空科學(xué)的範(fàn)疇。