9、22納米Ivy Bridge處理器芯片拆解分析

　　研究機構(gòu)UBM TechInsights已著手進行英特爾最新一代處理器Ivy Bridge的拆解分析；該款芯片是英特爾首款采用22納米工藝以及3D晶體管技術(shù)的產(chǎn)品，尚未正式上市。有一些媒體猜測，英特爾可能最快會在4月29日發(fā)表該款產(chǎn)品，也有傳言指出，該芯片的上市時程可能會延遲至7月。

　　一位英特爾發(fā)言人表示，Ivy Bridge處理器“很快”就會正式發(fā)表，他補充：“我們從去年底開始就已經(jīng)進行該芯片的生產(chǎn)。”他的意思應該是指該芯片樣本，而UBM TechInsights已經(jīng)取得了一顆在馬來西亞封裝，標記為3.3GHz Core i5-3550的Ivy Bridge處理器芯片，其裸晶面積尺寸為170mm2，小于目前Sandy Bridge i7 2600K處理器的208mm2。

　　在初步測試中，UBM TechInsights發(fā)現(xiàn)該處理器芯片內(nèi)含柵極間距（gate pitch）為90納米的嵌入式SRAM陣列，還發(fā)現(xiàn)柵極長度為22納米的邏輯區(qū)塊。半導體產(chǎn)業(yè)界大多認為，下一個重要工藝節(jié)點是28納米；包括 Altera與Xilinx都已經(jīng)推出28納米工藝FPGA，AMD與高通（Qualcomm）也正在委托GlobalFoundries 、臺積電等晶圓代工廠生產(chǎn)28納米芯片。

　　英特爾的獨特22納米工藝技術(shù)是采用了又稱為FinFET的3D晶體管，該種技術(shù)號稱可降低漏電──這也是目前尖端工藝芯片最大的問題。其他芯片廠商也表示，他們將在次20納米工藝采用類似的技術(shù)。

　　UBM TechInsights將于5月分兩階段公布對Ivy Bridge芯片的拆解報告，第一階段將包含詳細的邏輯架構(gòu)分析，包括該芯片的制程技術(shù)、嵌入式存儲器、邏輯柵與I/O晶體管，并有高分辨率的芯片內(nèi)部圖像；第二階段的報告則將分析該款處理器的晶體管特性，包括其NMOS、PMOS晶體管的DC電氣特性分析、柵極數(shù)據(jù)與溝道泄漏電流。

　　此外該報告還將顯示在三個溫度階層的處理器性能測試結(jié)果；分析師將采用掃描與隧穿電子顯微鏡、擴展電阻測試（Spreading Resistance Profiling）以及X光等技術(shù)。以下先披露報告中的幾張精彩圖片：

　　
　　圖為Ivy Bridge的隧穿電子顯微鏡斷面圖，可看到內(nèi)部的3D晶體管

　　　　　　較上方的圖片是Ivy Bridge的裸晶，下方則是Sandy Bridge i7 2600K