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CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

2010-02-23 10:42電子產(chǎn)品世界 佚名我要評論（0）我要收藏

CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。

　　VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225 度，CHT-PMOS3002 的柵極漏電流保持低于 50nA，而其漏極電流低至10μA，其開啟延遲時(shí)間為30ns。此系列導(dǎo)通電阻和輸入電容范圍分別為從0.4Ω 至 1.7Ω 及從 150pF 至 450pF。

 

　　CISSOID 的 VENUS系列在惡劣環(huán)境下，從攝氏負(fù) 55 度到 225 度，使任何需要可靠功率控制的系統(tǒng)能得以設(shè)計(jì)，從電機(jī)驅(qū)動器，DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源，到逆變器。此外，P通道晶體管使設(shè)計(jì)及高邊開關(guān)的控制更容易，避免引導(dǎo)或電荷泵技術(shù)。有了 VENUS 產(chǎn)品，系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師可以節(jié)省成本，提高可靠性，改善重量，同時(shí)從其應(yīng)用中禁止液體冷卻，例如工業(yè)通程控制，汽車電池充電器和飛機(jī)執(zhí)行器。

標(biāo)簽：CISSOID(3)Mo(23)
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