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IR推出全新HEXFET功率 SOT-23 MOSFET 器

2010-07-22 09:29IR 佚名我要評(píng)論（0）我要收藏

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。

　　新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。

　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個(gè)全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍，并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ，從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設(shè)計(jì)選擇�！�

　　新器件達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

標(biāo)簽：HEXFET(2)IR(19)
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(責(zé)任編輯：發(fā)燒友)

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