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CISSOID,在高溫半導體方案的領導者推出了瑞亞,一個可在-55 ° C至+225° C高溫可靠運作的2.5kV電流隔離數(shù)據(jù)傳輸方案。CHT-瑞亞是單芯片雙信道,全雙工收發(fā)器(2發(fā)送和2接收信道)。外部微脈沖變壓器確保每個磁隔離,而其核心直徑不超過6毫米(0.24“).
整個4信道數(shù)據(jù)傳輸中,每個脈沖變壓器旁都需要一個瑞亞. CISSOID已經(jīng)展示在板級的整體功能,包括在全溫度范圍時的變壓器; CISSOID組件的演示電路板實現(xiàn)了2MBits/秒的數(shù)據(jù)速率,傳輸延遲和抖動分別為 低于100ns和25ns。該電路結構,調制方案和變壓器的設計已為提供極端的dV / dt抗擾度(高達50kV/μs)進行了優(yōu)化.
此方案提供先進的數(shù)字信號隔離,與光耦合器對比有巨大優(yōu)勢,如高可靠性,低功耗,dV/ dt抗干擾能力強和極端溫度條件下操作。
CHT-瑞亞是一種多用途的組件,在極端的溫度下需要傳輸電流隔離兩個不同共模電壓域的數(shù)字信號時有用。在常規(guī)溫度,瑞亞將確保出色的可靠性和壽命。
應用包括絕緣柵 IGBT驅動,JFET和MOSFET功率晶體管,包括碳化硅(SiC)的開關,工業(yè)總線,絕緣A-D轉換器和傳感器接口,在工業(yè),航空,鐵路,電力和混合動力汽車的電機驅動器和電池管理。
瑞亞集成電路將用于 CISSOID即將完全隔離柵極驅動技術稱為哈迪斯?,用于在低和高電壓域中傳輸控制和反饋信號。
瑞亞的初步數(shù)據(jù)表可在CISSOID的網(wǎng)站找到,SOIC28封裝工程樣品將在2011年第一季度提供。
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