在硅基集成光通信元件領(lǐng)域中居領(lǐng)先地位的SiFotonics Technologies Co., Ltd.，又成功開(kāi)發(fā)出世界上第一款基于CMOS技術(shù)、應(yīng)用于光通信的10Gbps單片光接收器集成芯片。SiFotonics致力于10G單片集成芯片的開(kāi)發(fā)，成功研發(fā)的TP1501將鍺的光電探測(cè)器(PD)和跨阻放大器(TIA)集成于單一芯片，把業(yè)界帶入到一個(gè)新的運(yùn)用領(lǐng)域。

　　“我們非常高興的宣布，我們利用在跨阻放大器，鍺/硅光電探測(cè)器和先進(jìn)制程上的領(lǐng)先核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了世界上第一款基于CMOS技術(shù)的10G單片集成芯片TP1501”，SiFotonicsCEO潘棟博士談到，“基于此TP1501將光電集成在單芯片上的成功實(shí)現(xiàn)，我們可更進(jìn)一步將周邊系統(tǒng)的邏輯集成在下一代產(chǎn)品中。”

　　TP1501集成光接收器能夠覆蓋3個(gè)關(guān)鍵波長(zhǎng)：850nm，1310nm和1550nm。測(cè)量數(shù)據(jù)表明1310nm波長(zhǎng)的靈敏度和商用的III-V解決方案相當(dāng)。目前器件正采用ROSA(光接收子系統(tǒng))深入評(píng)估并進(jìn)行可靠性測(cè)試中。

　　TP1501單片集成光接收器可以解決傳統(tǒng)的分立式光電探測(cè)器(PD)、跨阻放大器(TIA)方案存在的關(guān)鍵問(wèn)題：

　　·消除了光電探測(cè)器(PD)到跨阻放大器(TIA)鍵合引線，因此可以避免在高頻下鍵合引線引起的問(wèn)題。除此以外，封裝需要的人力和成本也大大降低。由于簡(jiǎn)化了ROSA封裝工藝，因此可以降低封裝的工藝差異性并改善良率。

　　·避免了封裝前光電探測(cè)器(PD)和跨阻放大器(TIA)需要的單獨(dú)測(cè)試，因此可以降低測(cè)試的復(fù)雜度和成本。

　　·無(wú)需對(duì)跨阻放大器(TIA)和PIN進(jìn)行匹配，因此縮短了產(chǎn)品研發(fā)和最終推向市場(chǎng)的時(shí)間。

　　10G通訊運(yùn)用在下一代通訊產(chǎn)品中正在迅速發(fā)展。以TP1501為代表的創(chuàng)新集成器件提供了更有效控制成本的方案，我們期待TP1501將成為光收發(fā)器的關(guān)鍵元件并被廣泛應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心通訊和存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)的光通道中。此外，TP1501還能將光通訊技術(shù)應(yīng)用到對(duì)成本敏感的個(gè)人計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子市場(chǎng)中。

　　關(guān)于SiFotonicsTechnologiesCo.,Ltd.

　　SiFotonicsTechnologiesCo.,Ltd.由私募基金投資，是一家專(zhuān)注于硅基光電元件、集成電路和集成光電產(chǎn)品的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。公司創(chuàng)立于2007年，總部設(shè)在美國(guó)馬薩諸塞州的首府波士頓。在波士頓總部之外，SiFotonics同時(shí)在中國(guó)北京和上海分別建立了研發(fā)中心。并同全球一流的半導(dǎo)體晶圓代工廠建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

　　SiFotonicsTechnologiesCo.,Ltd.設(shè)計(jì)和制造新型硅基光電集成電路和分立器件，諸如2.5Gb/s~10Gb/s 鍺/硅PIN型光電探測(cè)器，雪崩光電二極管，40Gb/s 硅波導(dǎo)光電調(diào)制器/光電探測(cè)器，2.5Gb/s~10Gb/s 跨阻放大器，和用于光收發(fā)模塊的集成光電芯片等。