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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • PC3M0045065L碳化硅MOSFET2022-05-21 16:29

    產(chǎn)品型號(hào)：PC3M0045065L 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A 功耗：C:147W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +150?C

  • C3M0025065K碳化硅MOSFET2022-05-21 16:01

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0025065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：251A 功耗：326W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +175?C

  • C3M0015065K碳化硅MOSFET2022-05-21 11:41

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0015065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A 功耗，TC=25?C：416W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +175?C

  • C3M0015065D碳化硅MOSFET2022-05-21 11:12

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0015065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A 功耗，TC=25?C：416W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：40 to +175?C

  • CG2H40025F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-05-20 11:44

    產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40025F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 17 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率

  • CG2H40025P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-20 11:42

    產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40025P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 17 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率

  • CG2H40025F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-20 11:40

    產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40025F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 17 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率

  • CG2H30070F-AMP2高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-05-20 11:16

    產(chǎn)品型號(hào)：CG2H30070F-AMP2 應(yīng)用電路：0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路 功率：28 V 時(shí) POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益 排水效率：58% 排水效率

  • CG2H30070F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-20 11:13

    產(chǎn)品型號(hào)：CG2H30070F 應(yīng)用電路：0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路 功率：28 V 時(shí) POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益 排水效率：58% 排水效率 匹配：內(nèi)部匹配

  • RADI-5.15-5.25-SMT-2WR-20W 隔離器RADITEK品牌現(xiàn)貨2022-05-20 10:14

    產(chǎn)品型號(hào)：RADI-5.15-5.25-SMT-2WR-20W 微帶：高度拋光,焊粘到毫米波 微帶插入式載波：兼容 fuji (fdk) 的 rdkf 2-30 ghz 微帶基板：直接安裝到機(jī)箱或電路板上 帶狀線(xiàn)：ss slim線(xiàn)，最新“tw”線(xiàn)imd最低 集總元件：500w 1+1 保護(hù)