C3M0015065K碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現最高效率和功率密度，通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充電系統(tǒng)；儲能系統(tǒng)；不間斷電源；和電池管理系統(tǒng)。
好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率
特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術
? 具有獨立驅動源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
? 電動汽車充電器
? 太陽能逆變器
? UPS
? 開關電源
? DC/DC 轉換器
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