立年電子科技產(chǎn)品

• C2M1000170D碳化硅MOSFET2022-05-27 18:39

  

  產(chǎn)品型號：C2M1000170D 漏源電壓：1700V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：15A 功耗：69W

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• C3M0350120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:44

  

  產(chǎn)品型號：C3M0350120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 脈沖漏極電流：：20A 功耗：：50W

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• C3M0350120J碳化硅MOSFET2022-05-25 21:36

  

  產(chǎn)品型號：C3M0350120J 漏源電壓:：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 脈沖漏極電流：20A 功耗：：40.8W

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• C2M0280120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:23

  

  產(chǎn)品型號：C2M0280120D 漏源電壓:：1200V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：：20A 功耗：69.4W

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• C2M0160120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:16

  

  產(chǎn)品型號：C2M0160120D 漏源電壓：1200 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：40A 功耗：125W

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• C3M0160120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:08

  

  產(chǎn)品型號：C3M0160120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓動態(tài):：-4/+15V 脈沖漏極電流：250A 功耗：556W

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• CGH27030S-AMP1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-25 10:57

  

  產(chǎn)品型號：CGH27030S-AMP1 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率

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• CGH27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:56

  

  產(chǎn)品型號：CGH27030S 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率

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• CGH27030P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:54

  

  產(chǎn)品型號：CGH27030P 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率

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• CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:45

  

  產(chǎn)品型號：CGH25120F 頻率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分貝增益 PAVE功率：20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR PAVE效率：20 W PAVE 時效率為 30 % 應(yīng)用特性：可應(yīng)用高度 DPD 校正

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