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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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C2M0160120D碳化硅MOSFET

型號(hào): C2M0160120D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200
  • 柵極 - 源極電壓 -10/+25
  • 柵極 - 源極電壓 -5/+20
  • 脈沖漏極電流 40A
  • 功耗 125W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -55to+150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C2M0160120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可用于 UPS 等大功率應(yīng)用;電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng);開(kāi)關(guān)電源;太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng);電動(dòng)汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多?;诘谌夹g(shù);各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)樗麄兊膽?yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對(duì),為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強(qiáng)大組合。

C2M0160120D


優(yōu)點(diǎn)
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率

 

特征
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開(kāi)關(guān)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動(dòng)
? 雪崩堅(jiān)固性
? 抗閂鎖
? 無(wú)鹵素,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
? 太陽(yáng)能逆變器
? 開(kāi)關(guān)模式電源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? LED 照明電源


相關(guān)型號(hào)
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