--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT223封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
一、產(chǎn)品簡介:
FQT7P06-VB是VBsemi生產(chǎn)的P溝道場效應(yīng)管,具有-60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大-6.5A的電流。其特點包括低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為58mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時。門壓閾值(Vth)為-1V至-3V之間。該器件采用SOT223封裝,適用于各種應(yīng)用場合。
二、詳細(xì)參數(shù)說明:
- 最大漏極-源極電壓(VDSS):-60V
- 最大連續(xù)漏極電流(ID):-6.5A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):58mΩ(在VGS=10V時)
- 端口-源極電壓(VGS):±20V
- 門壓閾值(Vth):-1V至-3V

三、適用領(lǐng)域和模塊示例:
1. 低壓電源模塊:由于其負(fù)電壓額定值和低導(dǎo)通電阻,F(xiàn)QT7P06-VB適用于負(fù)壓穩(wěn)壓器和負(fù)壓開關(guān)模塊,用于提供穩(wěn)定的負(fù)電壓輸出。
2. 電池保護(hù)系統(tǒng):在便攜式電子設(shè)備、無線通信設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中,該器件可用于電池保護(hù)和電流控制,確保電池安全運行。
3. 電動車輛充電器:在電動汽車、電動自行車和電動滑板車的充電系統(tǒng)中,F(xiàn)QT7P06-VB可用于充電器的電源開關(guān)和電流控制,實現(xiàn)高效率和安全的充電過程。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:26
產(chǎn)品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:23
產(chǎn)品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:20
產(chǎn)品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:16
產(chǎn)品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:14
產(chǎn)品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:56
產(chǎn)品型號:BUK654R8-40C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:51
產(chǎn)品型號:BUK654R6-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:50
產(chǎn)品型號:BUK654R0-75C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:47
產(chǎn)品型號:BUK653R7-30C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:35
產(chǎn)品型號:BUK653R5-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N