動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-12-01 16:18
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
發(fā)布了文章 2025-12-01 15:12
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:51
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V20瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:48
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V21瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:47
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:44
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V22瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:42
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V17瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:40
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V16瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:36
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V7瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-16 15:31
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V11瀏覽量