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企業(yè)號(hào)介紹

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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MTC3585G6-VB一種2個(gè)N+P—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號(hào): MTC3585G6
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個(gè)N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是MTC3585G6-VB型號(hào)的產(chǎn)品簡(jiǎn)介和詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

MTC3585G6-VB是VBsemi生產(chǎn)的雙通道(2個(gè)N+P—Channel)溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有以下特點(diǎn):
- 負(fù)載工作電壓:±20V
- 最大漏極電流:7A (N-Channel), -4.5A (P-Channel)
- N-Channel靜態(tài)漏極-源極電阻:20mΩ @ VGS=4.5V
- P-Channel靜態(tài)漏極-源極電阻:70mΩ @ VGS=4.5V
- 門(mén)極閾值電壓:0.71V (N-Channel), -0.81V (P-Channel)

### 參數(shù)說(shuō)明:

- **負(fù)載工作電壓 (VDS)**: ±20V,指定了晶體管在負(fù)載工作時(shí)的最大電壓范圍。
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A (N-Channel), -4.5A (P-Channel),表示晶體管能夠承受的最大漏極電流。
- **N-Channel靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))**: 在門(mén)極電壓為4.5V時(shí),N-Channel靜態(tài)漏極-源極電阻為20mΩ。這個(gè)參數(shù)表示了N-Channel晶體管導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻。
- **P-Channel靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))**: 在門(mén)極電壓為4.5V時(shí),P-Channel靜態(tài)漏極-源極電阻為70mΩ。這個(gè)參數(shù)表示了P-Channel晶體管導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻。
- **門(mén)極閾值電壓 (Vth)**: 0.71V (N-Channel), -0.81V (P-Channel),是晶體管開(kāi)始導(dǎo)通的門(mén)極電壓閾值。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源開(kāi)關(guān)模塊**:MTC3585G6-VB的雙通道設(shè)計(jì)使其適用于電源開(kāi)關(guān)模塊,可同時(shí)控制正負(fù)電壓,提供穩(wěn)定的電源開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)功能。
  
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,MTC3585G6-VB可用于控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和速度調(diào)節(jié)。
  
3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:由于MTC3585G6-VB具有較高的漏極電流和低的漏極-源極電阻,適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,實(shí)現(xiàn)高效率的電壓轉(zhuǎn)換和功率管理。

MTC3585G6-VB的特性使其在各種領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮重要作用,提供高效、穩(wěn)定的功率控制和管理功能。

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