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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SQD25N06-22L-GE3-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): SQD25N06-22L-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi N-Channel MOSFET SQD25N06-22L-GE3-VB**

- **絲?。?* VBE1638
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - N—Channel溝道
 - 額定電壓:60V
 - 額定電流:45A
 - 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓(Vth):1.8V
- **封裝:** TO252

**產(chǎn)品簡介:**

SQD25N06-22L-GE3-VB是VBsemi生產(chǎn)的一款N-Channel溝道的功率MOSFET。它具有高電壓、高電流和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于各種功率控制和開關(guān)應(yīng)用。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**

1. **額定電壓(VDS):** 該MOSFET的額定電壓為60V,適用于中等功率電路設(shè)計(jì)。

2. **額定電流(ID):** 具有45A的額定電流,適用于需要大電流承載能力的應(yīng)用。

3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在VGS=10V時(shí),導(dǎo)通電阻為24mΩ,這有助于降低功率損耗,提高效率。

4. **閾值電壓(Vth):** 閾值電壓為1.8V,使得器件易于控制和驅(qū)動(dòng)。

**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源逆變器:** 用于電動(dòng)汽車、UPS系統(tǒng)和太陽能逆變器等高功率電源逆變應(yīng)用中。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:** 可用于電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛和工業(yè)機(jī)械等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中。

3. **電源開關(guān):** 適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和功率因數(shù)校正電路等功率控制模塊中。

SQD25N06-22L-GE3-VB的高電壓和高電流特性,以及低導(dǎo)通電阻,使其在各種功率應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。

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