以下是VBsemi公司的MOSFET產(chǎn)品04CNE8N-VB的詳細信息：

1. 產(chǎn)品簡介：

  04CNE8N-VB是一款單N溝道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技術(shù)制造，適用于各種領(lǐng)域和模塊的電路設(shè)計。其主要特點包括80V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS）、3V的閾值電壓（Vth）、10mΩ@VGS=4.5V和6mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、以及120A的漏極電流（ID）。

2. 參數(shù)說明：

  - 型號：04CNE8N-VB
  - 封裝：TO263
  - 極性：N溝道
  - 漏極-源極電壓（VDS）：80V
  - 柵極-源極電壓（VGS）：±20V
  - 閾值電壓（Vth）：3V
  - 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：10mΩ@VGS=4.5V、6mΩ@VGS=10V
  - 漏極電流（ID）：120A
  - 技術(shù)：Trench

3. 應(yīng)用舉例：

  04CNE8N-VB適用于多種領(lǐng)域和模塊，例如：

  - 電源管理：適用于高電壓和高電流的電源開關(guān)和穩(wěn)壓器。
  - 電機驅(qū)動：用于高性能電動工具、電動汽車和工業(yè)機械的電機控制。
  - 車載電子：適用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動控制。
  - 工業(yè)控制：用于工業(yè)自動化和機器人控制等領(lǐng)域。

以上是04CNE8N-VB MOSFET產(chǎn)品的詳細信息及其適用領(lǐng)域和模塊的舉例說明。