08N80C3-VB是VBsemi推出的TO220封裝單路N溝道MOSFET產(chǎn)品。以下是該產(chǎn)品的詳細參數(shù)說明：

- **包裝：** TO220
- **配置：** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 800V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 600mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 9A
- **技術(shù)：** SJ_Multi-EPI

該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. **電源供應(yīng)模塊：** 由于其高漏極-源極電壓（VDS）和較高的漏極電流（ID）能力，適用于高壓電源模塊的開關(guān)和控制。
2. **工業(yè)控制模塊：** 可用于工業(yè)設(shè)備和機械的開關(guān)和控制，具有較好的耐壓和耐電流能力。
3. **電動車充電模塊：** 適用于電動車的充電模塊，能夠承受高電壓和電流。
4. **LED照明模塊：** 作為LED照明模塊的開關(guān)元件，具有較低的導通電阻和較高的漏極-源極電壓能力。
5. **工業(yè)自動化模塊：** 用于工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中的開關(guān)和控制，具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。

以上是08N80C3-VB MOSFET產(chǎn)品的詳細介紹和應(yīng)用領(lǐng)域說明。