091N06N-VB是一款TO263封裝的單路N溝道MOSFET，具有60V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，±），以及3V的閾值電壓（Vth）。其在VGS=10V時的導通電阻RDS(ON)為4mΩ，最大漏極電流ID為150A。采用槽溝技術（Trench）制造。

產(chǎn)品簡介：
091N06N-VB是一款高性能的單路N溝道MOSFET，具有高漏極-源極電壓和導通電阻能力，適用于要求高功率和高可靠性的應用場合。其TO263封裝設計使其適用于大功率應用，并具有良好的散熱性能，廣泛應用于各種領域和模塊中。

詳細參數(shù)說明：
- 封裝：TO263
- 結構：單路N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：60V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±）
- 閾值電壓（Vth）：3V
- RDS(ON)（導通電阻）：4mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：150A
- 工藝技術：槽溝技術（Trench）

應用示例：
1. 電源模塊：用于高功率電源系統(tǒng)中的開關電源和逆變器。
2. 電機驅動：用于工業(yè)電機驅動和電動汽車（EV）的電機控制。
3. 汽車電子：用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電機控制。
4. 工業(yè)控制：用于工廠自動化和機械設備控制中的功率開關。

這些示例表明，091N06N-VB適用于需要高電壓和高電流驅動的各種高功率應用領域和模塊。