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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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094N03S-VB QFN8(5X6)一種N-Channel溝道DFN8(5X6)封裝MOS管

型號: 094N03S-VB QFN8(5X6)
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

094N03S-VB是一款DFN8(5X6)封裝的單路N溝道MOSFET。它的主要特性包括30V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS,正負(fù)值),1.7V的閾值電壓(Vth),在VGS=4.5V時的導(dǎo)通電阻為9mΩ(RDS(ON)),在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻為7mΩ(RDS(ON)),以及80A的漏極電流(ID)。該產(chǎn)品采用槽溝道(Trench)技術(shù)制造。

**產(chǎn)品簡介**
094N03S-VB是一款高性能N溝道MOSFET,適用于需要中等電壓和大電流的應(yīng)用場合。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流使其成為高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

**詳細(xì)參數(shù)說明**
- 封裝:DFN8(5X6)
- 極性:N溝道
- 漏極-源極電壓(VDS):30V
- 柵極-源極電壓(VGS):±20V
- 閾值電壓(Vth):1.7V
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):9mΩ @ VGS=4.5V,7mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流(ID):80A
- 技術(shù):槽溝道(Trench)

**適用領(lǐng)域和模塊**
- 電源管理:094N03S-VB適用于需要中等電壓和高電流的電源管理,例如電池管理系統(tǒng)。
- 電機控制:在需要大電流驅(qū)動的電機控制器中,這款MOSFET可以用于電機驅(qū)動電路,實現(xiàn)高效能的電機控制。
- 車載電子:對于需要耐高溫和高電流的車載電子系統(tǒng),這款MOSFET可以用于功率開關(guān)和電源管理。
- 工業(yè)控制:在需要高功率開關(guān)的工業(yè)控制系統(tǒng)中,094N03S-VB可以用作開關(guān)管,實現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。

這些只是一些例子,實際上,094N03S-VB還可以用于許多其他領(lǐng)域和模塊,具體取決于應(yīng)用的要求和設(shè)計的需要。

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