09N65GX-VB是一款TO220F封裝的單路N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS，±），以及3.5V的閾值電壓（Vth）。其在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為830mΩ，最大漏極電流ID為10A。采用平面工藝（Plannar）制造。

產(chǎn)品簡介：
09N65GX-VB是一款高性能的單路N溝道MOSFET，具有較高的漏極-源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻，適用于要求中等功率和可靠性的應(yīng)用場合。其TO220F封裝設(shè)計使其易于安裝和散熱，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域和模塊中。

詳細參數(shù)說明：
- 封裝：TO220F
- 結(jié)構(gòu)：單路N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）：830mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：10A
- 工藝技術(shù)：平面工藝（Plannar）

應(yīng)用示例：
1. 電源模塊：用于中等功率的開關(guān)電源和逆變器。
2. 照明應(yīng)用：用于LED驅(qū)動器和電子鎮(zhèn)流器。
3. 工業(yè)控制：用于工業(yè)自動化和機械設(shè)備控制中的功率開關(guān)。
4. 汽車電子：用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動控制。

這些示例表明，09N65GX-VB適用于需要中等電壓和電流驅(qū)動的各種應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。