09N70P-H-VB是一款單N溝道MOSFET，具有以下主要參數(shù)：

- VDS（漏極-源極電壓）：700V
- VGS（門極-源極電壓）：30V（±）
- Vth（門極閾值電壓）：3.5V
- RDS(ON)（導通時的漏極-源極電阻）：870mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：12A
- 技術特點：平面工藝

產(chǎn)品簡介：
09N70P-H-VB是一款高壓、高性能的單N溝道MOSFET。采用了平面工藝技術，具有較低的導通電阻和較高的漏極電壓，適用于各種高壓、高性能要求的場合。

詳細參數(shù)說明：
1. VDS（漏極-源極電壓）：700V，可以適應較高的電壓環(huán)境。
2. VGS（門極-源極電壓）：30V（±），可靠的門控電壓范圍。
3. Vth（門極閾值電壓）：3.5V，可靠的門控特性。
4. RDS(ON)（導通時的漏極-源極電阻）：870mΩ@VGS=10V，低導通電阻，有利于減小功耗和提高效率。
5. ID（漏極電流）：12A，適用于一般功率要求的場合。
6. 技術特點：平面工藝，提供了可靠性和穩(wěn)定性。

應用示例：
09N70P-H-VB可以廣泛應用于以下領域和模塊：
- 電源模塊：適用于高壓電源開關、逆變器等模塊。
- 工業(yè)控制：適用于工業(yè)控制設備中的高壓電源開關等模塊。
- LED照明：可用于LED照明驅動器中的高壓功率開關模塊。
- 電動車充電樁：適用于電動車充電樁中的高壓功率開關模塊。
- 太陽能逆變器：適用于太陽能逆變器中的高壓功率開關模塊。

這些示例表明，09N70P-H-VB在高壓、高性能要求的場合具有廣泛的應用前景。