**產(chǎn)品簡介：**
100N02-VB是一款TO252封裝的單路N溝道MOSFET。它具有30V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，正負值），1.7V的閾值電壓（Vth），在VGS=4.5V時的導通電阻為3mΩ（RDS(ON)），在VGS=10V時的導通電阻為2mΩ（RDS(ON)），以及100A的漏極電流（ID）。該產(chǎn)品采用槽溝道（Trench）技術制造。

**詳細參數(shù)說明：**
- 封裝：TO252
- 極性：N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：30V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：1.7V
- 導通電阻（RDS(ON)）：3mΩ @ VGS=4.5V，2mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：100A
- 技術：槽溝道（Trench）

**適用領域和模塊：**
- 電源管理：100N02-VB適用于需要高電流和低導通電阻的電源管理，例如服務器電源、工業(yè)電源等。
- 電機驅動：由于其高漏極電流和低導通電阻，這款MOSFET可以用于電機驅動電路中，實現(xiàn)高效率的電機控制。
- 電池保護：在需要對電池進行保護的場合，這款MOSFET可以用于電池保護電路中，實現(xiàn)對電池的安全管理。
- 逆變器：對于需要高效率的逆變器，100N02-VB可以用作逆變器的關鍵元件，實現(xiàn)高效率的能量轉換。

以上只是一些例子，實際上，100N02-VB還可以用于許多其他領域和模塊，具體取決于應用的要求和設計的需要。