10N03LB-VB是VBsemi推出的TO220封裝單路N溝道MOSFET產(chǎn)品。以下是該產(chǎn)品的詳細參數(shù)說明：

- **包裝：** TO220
- **配置：** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 30V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 10mΩ @ VGS=4.5V, 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 70A
- **技術(shù)：** Trench

該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. **電源管理模塊：** 由于其較高的漏極-源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）能力，適用于電源管理模塊的開關(guān)和控制。
2. **電池保護模塊：** 可用于電池保護模塊中的開關(guān)和控制，具有較低的導通電阻和較高的電流能力。
3. **電動工具驅(qū)動模塊：** 適用于電動工具的驅(qū)動模塊，具有較低的導通電阻和較高的電流能力。
4. **汽車電子模塊：** 可用于汽車電子模塊中的開關(guān)和控制，具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。
5. **LED照明驅(qū)動模塊：** 作為LED照明驅(qū)動模塊的開關(guān)元件，具有較低的導通電阻和較高的漏極-源極電壓能力。

以上是10N03LB-VB MOSFET產(chǎn)品的詳細介紹和應(yīng)用領(lǐng)域說明。