10N50L-TF1-T-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET。它具有550V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為260mΩ，最大漏極電流（ID）為18A。該產(chǎn)品采用Plannar技術(shù)。

詳細(xì)參數(shù)說明如下：
- 產(chǎn)品型號(hào)：10N50L-TF1-T-VB
- 封裝：TO220F
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：550V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：260mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：18A
- 技術(shù)：Plannar

該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. 工業(yè)電源模塊：用于高壓、中功率的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊。
2. 照明領(lǐng)域：用于氣體放電燈、熒光燈等電路中的功率開關(guān)控制。
3. 電動(dòng)車輛領(lǐng)域：用于電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等模塊。
4. 工業(yè)控制領(lǐng)域：用于工業(yè)設(shè)備的功率開關(guān)控制，如變頻器、UPS等設(shè)備。

以上是10N50L-TF1-T-VB MOSFET的簡介、詳細(xì)參數(shù)說明和適用領(lǐng)域和模塊的語段形式舉例。