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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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10N60ZL-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 10N60ZL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是對(duì)10N60ZL-VB產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
10N60ZL-VB是一款單N溝道MOSFET,采用Plannar技術(shù)制造,具有高達(dá)650V的漏極-源極電壓(VDS),并且在VGS為30V(±)時(shí)具有3.5V的閾值電壓(Vth)。它具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)=830mΩ@VGS=10V)和高漏極電流(ID=10A)的特點(diǎn),適用于多種領(lǐng)域和模塊。

### 參數(shù)說(shuō)明:
- **包裝類(lèi)型(Package)**:TO220F
- **器件類(lèi)型(Configuration)**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:30V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)(Technology)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源模塊**:由于10N60ZL-VB具有較高的漏極-源極電壓和漏極電流能力,適合用于開(kāi)關(guān)電源模塊中的高壓側(cè)。
2. **照明模塊**:在LED照明驅(qū)動(dòng)器中,10N60ZL-VB可以用作功率MOSFET,提供高效的電源控制。
3. **電動(dòng)工具**:用于電動(dòng)工具中的功率開(kāi)關(guān),例如電鉆、電錘等,以實(shí)現(xiàn)高效能的工作性能。
4. **UPS系統(tǒng)**:在不間斷電源系統(tǒng)中,可用作開(kāi)關(guān)器件,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸。

以上是對(duì)10N60ZL-VB產(chǎn)品的簡(jiǎn)介、參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的示例說(shuō)明。

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