以下是對10N65L-TF3-T-VB產(chǎn)品的詳細介紹：

### 產(chǎn)品簡介：
10N65L-TF3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術制造，具有高達650V的漏極-源極電壓（VDS），并且在VGS為30V（±）時具有3.5V的閾值電壓（Vth）。它具有低導通電阻（RDS(ON)=830mΩ@VGS=10V）和高漏極電流（ID=10A）的特點，適用于多種領域和模塊。

### 參數(shù)說明：
- **包裝類型（Package）**：TO220F
- **器件類型（Configuration）**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：30V（±）
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：10A
- **技術（Technology）**：Plannar]

### 應用領域和模塊舉例：
1. **電源模塊**：由于10N65L-TF3-T-VB具有較高的漏極-源極電壓和漏極電流能力，適合用于開關電源模塊中的高壓側(cè)。
2. **照明模塊**：在LED照明驅(qū)動器中，10N65L-TF3-T-VB可以用作功率MOSFET，提供高效的電源控制。
3. **電動工具**：用于電動工具中的功率開關，例如電鉆、電錘等，以實現(xiàn)高效能的工作性能。
4. **UPS系統(tǒng)**：在不間斷電源系統(tǒng)中，可用作開關器件，確保高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸。

以上是對10N65L-TF3-T-VB產(chǎn)品的簡介、參數(shù)說明和應用領域和模塊的示例說明。