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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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10N95K5-VB TO220F一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 10N95K5-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**10N95K5-VB 產(chǎn)品簡介:**

10N95K5-VB 是一款單 N-溝道 MOSFET,封裝為 TO220F。它具有高達(dá) 900V 的漏極-源極電壓(VDS),以及額定為 ±30V 的門源極電壓(VGS)。門極閾值電壓(Vth)為 3.5V,漏極-源極電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 580mΩ,漏極電流(ID)額定為 11A。這款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)工藝制造。

**10N95K5-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **封裝類型(Package):** TO220F
- **器件類型(Configuration):** 單 N-溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 900V
- **門源極電壓(VGS):** ±30V
- **門極閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **漏極-源極電阻(RDS(ON)):** 580mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 11A
- **技術(shù)工藝(Technology):** SJ_Multi-EPI

**10N95K5-VB 適用領(lǐng)域和模塊示例:**

1. **電源模塊:** 由于其高漏極-源極電壓和低漏極-源極電阻,10N95K5-VB 可以廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)模塊中,如開關(guān)電源、逆變器和穩(wěn)壓器等。
  
2. **電動車充電樁:** 由于其高漏極-源極電壓和較高的漏極電流能力,10N95K5-VB 可以用于電動車充電樁中的開關(guān)電源模塊,實現(xiàn)快速充電和高效能量轉(zhuǎn)換。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng):** 在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,10N95K5-VB 可以作為電機(jī)控制模塊中的開關(guān)器件,用于實現(xiàn)高效的電機(jī)控制。

4. **電源逆變器:** 由于其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻,10N95K5-VB 可以用于太陽能逆變器和風(fēng)能逆變器中,實現(xiàn)能源的高效轉(zhuǎn)換。

以上是 10N95K5-VB 的產(chǎn)品簡介、詳細(xì)參數(shù)說明和適用領(lǐng)域和模塊示例。

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