### 10NM60N-VB 產品簡介
10NM60N-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，具有高壓（650V）和適中電流（9A）特性。采用 SJ_Multi-EPI 技術制造，適用于各種高壓應用場合。
### 詳細參數(shù)說明
- **包裝類型（Package）**：TO252
- **配置（Configuration）**：單 N 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：30V（±）
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：9A
- **技術特點（Technology）**：SJ_Multi-EPI
### 應用示例
- **電源管理**：適用于開關電源和逆變器等高壓電源管理電路中。
- **照明**：可用于 LED 驅動電路中的高壓開關。
- **工業(yè)控制**：適用于需要高壓開關的工業(yè)控制系統(tǒng)。
這些示例只是 10NM60N-VB 在各個領域和模塊中的一部分應用，具體應用取決于具體設計需求。
