### 110N12N-VB TO252 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
110N12N-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝技術(shù)。該器件具有 100V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，并且在柵源電壓為 10V 時(shí)，其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 僅為 114mΩ。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)制造，具備較低的導(dǎo)通電阻和出色的電流處理能力，非常適合需要高效率和高性能的應(yīng)用場(chǎng)合。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
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| 產(chǎn)品型號(hào) | 110N12N-VB |
| 封裝 | TO252 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 100V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.8V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 114mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 15A |
| 技術(shù) | Trench |
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
110N12N-VB 這種高性能的 MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮重要作用：
1. **電源管理模塊**
- 該 MOSFET 可用于開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和直流-直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器，提供高效的電能轉(zhuǎn)換，減少能量損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**
- 適用于電機(jī)控制應(yīng)用，包括無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 和有刷直流電機(jī)，通過(guò)其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，確保電機(jī)運(yùn)行的平穩(wěn)和高效。
3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
- 在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)中，110N12N-VB 可用作電池保護(hù)和管理電路的開(kāi)關(guān)元件，提供可靠的電流開(kāi)關(guān)和保護(hù)功能，延長(zhǎng)電池壽命。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**
- 該器件可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的繼電器替代品和負(fù)載開(kāi)關(guān)，支持高頻操作和低功耗需求，提升系統(tǒng)可靠性和響應(yīng)速度。
5. **消費(fèi)電子**
- 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中，例如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式設(shè)備，110N12N-VB 可以用作電源開(kāi)關(guān)和充電管理，優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，提供穩(wěn)定的電源管理解決方案。
通過(guò)這些應(yīng)用示例，可以看出 110N12N-VB MOSFET 在廣泛的領(lǐng)域中都能提供優(yōu)異的性能和可靠性，是許多電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要組件。
