### 產品簡介
VBsemi的11N40L-TF3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，具有高達550V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為260mΩ，具有18A的漏極電流（ID）和3V的閾值電壓（Vth）。
### 參數(shù)說明
- **型號**: 11N40L-TF3-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **結構**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 550V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 30V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）**:
- VGS=10V時：260mΩ
- **ID（漏極電流）**: 18A
- **技術**: Plannar
### 應用領域和模塊示例
1. **電源模塊**: 11N40L-TF3-T-VB的高電壓和電流特性使其適用于電源模塊，如DC-DC變換器和高壓穩(wěn)壓器。
2. **工業(yè)電子**: 在工業(yè)電子設備中，該器件可用于控制和調節(jié)電流，例如在電機控制、照明控制和電力管理系統(tǒng)中。
3. **太陽能逆變器**: 由于其高電壓和電流容量，11N40L-TF3-T-VB適用于太陽能逆變器中的功率開關和逆變控制。
4. **電動汽車充電器**: 在電動汽車充電器中，該器件可用作功率開關，實現(xiàn)高效的電能轉換和充電控制。
5. **電力傳輸與分配**: 該MOSFET可用于電力傳輸與分配系統(tǒng)中的高壓開關，如電網電壓調節(jié)和線路保護。
以上示例僅說明了11N40L-TF3-T-VB可能應用的部分領域和模塊，具體應用取決于設計要求和環(huán)境。
