### 11N50I-VB TO220F 產(chǎn)品簡介

11N50I-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝技術(shù)。該器件具有 550V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 3V。在柵源電壓為 10V 時(shí)，其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 260mΩ。這款 MOSFET 采用 Plannar 技術(shù)制造，具備較低的導(dǎo)通電阻和良好的耐壓能力，適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 規(guī)格 |
| --- | --- |
| 產(chǎn)品型號(hào) | 11N50I-VB |
| 封裝 | TO220F |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 550V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 260mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 18A |
| 技術(shù) | Plannar |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

11N50I-VB 這款高壓 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域和模塊中，例如：

1. **電源逆變器**
  - 在工業(yè)和電力電子領(lǐng)域，11N50I-VB 可用于電源逆變器中的開關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效轉(zhuǎn)換和控制。

2. **高壓電源管理**
  - 適用于高壓電源管理系統(tǒng)中的開關(guān)電路和穩(wěn)壓電路，提供穩(wěn)定可靠的電源輸出。

3. **照明應(yīng)用**
  - 在高壓 LED 照明系統(tǒng)中，11N50I-VB 可用作 LED 驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)對(duì) LED 燈的精確控制和調(diào)節(jié)。

4. **電動(dòng)汽車充電樁**
  - 在電動(dòng)汽車充電樁中，11N50I-VB 可用作充電樁控制電路的關(guān)鍵元件，確保充電樁的安全和穩(wěn)定性。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**
  - 該器件可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的高壓開關(guān)電路和負(fù)載開關(guān)，支持高頻操作和大電流處理，提升設(shè)備的性能和可靠性。

通過以上示例，可以看出 11N50I-VB MOSFET 在高壓環(huán)境下具備良好的性能和可靠性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合，是許多電子系統(tǒng)中的理想選擇。