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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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120N4LF6-VB TO252一款N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 120N4LF6-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 120N4LF6-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

VBsemi的120N4LF6-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝技術(shù)。這種MOSFET在40V的漏源電壓(VDS)和20V(±V)的柵源電壓(VGS)下工作。其開態(tài)電阻(RDS(ON))在柵源電壓為4.5V時為6mΩ,在柵源電壓為10V時為5mΩ。該器件的額定電流(ID)為85A,采用了Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高功率承受能力的特點,適用于高功率應(yīng)用場景。

### 120N4LF6-VB MOSFET 參數(shù)說明

- **型號:** 120N4LF6-VB
- **封裝:** TO252
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓(VDS):** 40V
- **柵源電壓(VGS):** 20(±V)
- **閾值電壓(Vth):** 2.5V
- **開態(tài)電阻(RDS(ON))@VGS=4.5V:** 6mΩ
- **開態(tài)電阻(RDS(ON))@VGS=10V:** 5mΩ
- **額定電流(ID):** 85A
- **技術(shù):** Trench

### 120N4LF6-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源管理:**
  120N4LF6-VB MOSFET適用于高功率的電源管理模塊,如工業(yè)電源和服務(wù)器電源。其低導(dǎo)通電阻和高功率承受能力使其能夠處理大功率電源管理需求。

2. **電動車輛:**
  在電動車輛中,如電動汽車和電動自行車,120N4LF6-VB MOSFET可用于控制電動機的電流。其高額定電流和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地控制電動車輛的驅(qū)動系統(tǒng)。

3. **工業(yè)自動化:**
  在工業(yè)自動化領(lǐng)域,120N4LF6-VB MOSFET可用于控制各種工業(yè)設(shè)備的電源和驅(qū)動系統(tǒng)。其高功率承受能力和低導(dǎo)通電阻確保了工業(yè)設(shè)備的穩(wěn)定運行。

4. **太陽能逆變器:**
  在太陽能逆變器中,120N4LF6-VB MOSFET可用于控制逆變器的開關(guān)。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其能夠在太陽能系統(tǒng)中提供可靠的電源轉(zhuǎn)換。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的實例,120N4LF6-VB MOSFET展示了其在高功率需求場景中的適用性,成為各類電子系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。

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