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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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12P10L-TQ2-R-VB TO263一款P-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 12P10L-TQ2-R-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 12P10L-TQ2-R-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的12P10L-TQ2-R-VB是一款單P溝道功率MOSFET,采用TO263封裝技術(shù)。這種MOSFET在-100V的漏源電壓(VDS)和20V(±V)的柵源電壓(VGS)下工作。其開態(tài)電阻(RDS(ON))在柵源電壓為4.5V時(shí)為240mΩ,在10V時(shí)為200mΩ。該器件的額定電流(ID)為-12A,采用了Trench技術(shù),適用于中功率應(yīng)用場(chǎng)景。

### 12P10L-TQ2-R-VB MOSFET 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào):** 12P10L-TQ2-R-VB
- **封裝:** TO263
- **配置:** 單P溝道
- **漏源電壓(VDS):** -100V
- **柵源電壓(VGS):** 20(±V)
- **閾值電壓(Vth):** -2V
- **開態(tài)電阻(RDS(ON))@VGS=4.5V:** 240mΩ
- **開態(tài)電阻(RDS(ON))@VGS=10V:** 200mΩ
- **額定電流(ID):** -12A
- **技術(shù):** Trench

### 12P10L-TQ2-R-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源逆變器:**
  12P10L-TQ2-R-VB MOSFET適用于中功率的電源逆變器模塊,如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能逆變器。其適中的額定電流和漏源電壓使其能夠在逆變器中提供可靠的電源轉(zhuǎn)換。

2. **汽車電子系統(tǒng):**
  在汽車電子系統(tǒng)中,12P10L-TQ2-R-VB MOSFET可用于控制車輛的電源管理和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其適中的功率特性使其能夠滿足車輛電子設(shè)備的功率需求。

3. **電源開關(guān):**
  在各種電源開關(guān)應(yīng)用中,12P10L-TQ2-R-VB MOSFET可用于控制電源的開關(guān)和電源管理。其適中的功率特性和低導(dǎo)通電阻確保了設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **電動(dòng)工具:**
  在電動(dòng)工具中,12P10L-TQ2-R-VB MOSFET可用于控制電動(dòng)工具的電源和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其適中的功率特性使其能夠滿足電動(dòng)工具的功率需求,提高了工具的效率和可靠性。

通過(guò)這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的實(shí)例,12P10L-TQ2-R-VB MOSFET展示了其在中功率需求場(chǎng)景中的適用性,成為各類電子系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。

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