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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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130P03LS-VB一款P-Channel溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 130P03LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的130P03LS-VB是一款單P溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),具有-30V的漏極-源極電壓(VDS)和20V的柵極-源極電壓(VGS)。該器件的漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為12mΩ,在VGS=10V時為7.8mΩ,具有-60A的漏極電流(ID)和-2.5V的閾值電壓(Vth)。

### 參數(shù)說明

- **型號**: 130P03LS-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)
- **結(jié)構(gòu)**: 單P溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**: -30V
- **VGS(柵極-源極電壓)**: 20V(±)
- **Vth(閾值電壓)**: -2.5V
- **RDS(ON)(漏極-源極導(dǎo)通電阻)**: 
 - VGS=4.5V時:12mΩ
 - VGS=10V時:7.8mΩ
- **ID(漏極電流)**: -60A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源逆變器**: 由于130P03LS-VB具有較高的漏極-源極電壓和較大的漏極電流,適用于一些逆變器中的功率開關(guān)和控制電路。
2. **電池保護(hù)**: 在電池保護(hù)電路中,MOSFET通常用于過充和過放保護(hù)。130P03LS-VB可用于一些電池保護(hù)模塊中,確保電池處于安全工作范圍內(nèi)。
3. **DC-DC變換器**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流容量,130P03LS-VB適用于DC-DC變換器中的功率開關(guān)和控制電路,提高能量轉(zhuǎn)換效率。
4. **電動車電源管理**: 在電動車的電源管理系統(tǒng)中,MOSFET通常用于控制電池和電機(jī)之間的電源開關(guān)。130P03LS-VB可用于電動車電源管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)。
5. **LED驅(qū)動器**: 由于其較高的漏極-源極電壓,130P03LS-VB適用于LED照明驅(qū)動器和控制器,提供穩(wěn)定的電流和照明控制。

以上領(lǐng)域和模塊僅為示例,實(shí)際應(yīng)用取決于具體設(shè)計(jì)要求和環(huán)境。

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