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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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136N08N-VB TO263一款N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 136N08N-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

136N08N-VB TO263 是一款單通道 N 型 MOSFET,采用溝道(Trench)技術。具有低導通電阻和高耐壓特性,適用于高性能應用中的功率控制和開關電路。

### 參數(shù)說明

- **封裝:** TO263
- **VDS(漏極-源極電壓):** 80V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** 3V
- **導通電阻:**
 - @VGS=4.5V: 10mΩ
 - @VGS=10V: 6mΩ
- **最大漏極電流(ID):** 120A

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源模塊:** 136N08N-VB TO263 適用于高性能功率控制的電源模塊中的主開關,提高電源的轉換效率。
2. **電機驅動:** 在電機驅動器中,136N08N-VB TO263 可以用作低電阻、高效率的電源開關,用于控制電機的啟停和速度。
3. **電動汽車充電樁:** 由于其高電流和高耐壓特性,136N08N-VB TO263 可以用于電動汽車充電樁中的開關電源單元,實現(xiàn)快速、高效的充電過程。
4. **逆變器:** 在逆變器應用中,136N08N-VB TO263 能夠承受高電壓和高電流,在轉換過程中提供高效的功率管理。

這些示例說明了136N08N-VB TO263 在需要高性能功率控制的各種領域和模塊中的廣泛應用。

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